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【學者觀點】倪仲俊談SDG17夥伴關係:人,才是永續發展的核心!
期刊
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Theoretical Modeling for Optical Properties of a Si Delta-Doped InGaN/GaN Quantum Well
Mohammad Yuonesi
;
Hamid Reza Alaei
《Chinese Journal of Physics》
52卷5期
(2014/10)
Pp. 1568-1575
https://doi.org/10.6122/CJP.20131223
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延伸閱讀
Wang, H. S. (2004).
Transport in Two-dimensional GaAs Electron Systems and Optical Properties of InGaAsN Single Quantum Well
[master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342%2fNTU.2004.01080
謝文耀(2015)。
Structure and Optical Properties of Ge-based Multiple-quantum-well on Si
〔碩士論文,國立中正大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0033-2110201614041043
Li, Y. S. (2009).
Modeling of Exciton and Optical Absorption in the Ge Quantum Well Systems
[master's thesis, National Taiwan University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6342%2fNTU.2009.10117
楊崇淵(2006)。
Study of Optical Gain in Semiconductor Quantum Structures by Optical Pumping
〔碩士論文,國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342%2fNTU.2006.02940
曾淳俊(2010)。
A study of optical and electrical properties in InGaAs(N)/GaAs multiple quantum well
〔碩士論文,國立交通大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6842%2fNCTU.2010.00768
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