Poly(3-hexylthiophene):[6,6]-phenyl-C61- butyric acid methyl ester ohmic contact on the transparent conductive oxide films

聚（3-己烷基噻吩）：碳六十衍生物／透明導電氧化物薄膜之界面歐姆接觸特性研究

林祐仲(Yow-Jon Lin) ； 林鴻志(Hong-Zhi Lin) ； 金益民(Yi-Min Chin)

《真空科技》 29卷2期 (2016/06) Pp. 31-37

摘要

有機高分子聚合物P3HT:PCBM 的太陽能電池要若要提高光電轉換效率，那麼必須要製作具備低界面電阻的歐姆電極。本次研究是探討P3HT:PCBM 塗佈在氧化銦錫(ITO) 基板與P3HT:PCBM 塗佈在摻鋁的氧化鎘(AlCdO) 基板之界面歐姆接觸特性。根據電流- 電壓觀測曲線和凱文探針測量結果可發現AlCdO/P3HT:PCBM 的界面接觸電阻比ITO/P3HT:PCBM 的界面接觸電阻要小，此原因是AlCdO 的表面功函數(5.400 eV) 比ITO 的表面功函數(4.695 eV)要大，導致P3HT:PCBM 薄膜沉積在AlCdO 表面形成較佳的歐姆接觸。

關鍵字

歐姆接觸 ； 高分子聚合物 ； 接觸電阻 ； 氧化物 ； 功函數

並列摘要

Low resistance ohmic contacts are essential to improve the performance of poly(3- hexylthiophene):[6,6]-phenyl-C61-butyric acid methyl ester (P3HT:PCBM)-based solar cells. In this study, ohmic contact formation at the indium-tin-oxide (ITO)/P3HT:PCBM and Al-doped CdO (AlCdO)/P3HT:PCBM interfaces is reported. The lower contact resistivity of the AlCdO/ P3HT:PCBM sample than the ITO/P3HT:PCBM sample is found. This is because of the higher surface work function of AlCdO (5.400 eV) than ITO (4.695 eV). It is shown that the deposition of the P3HT:PCBM film onto the AlCdO surfaces leads to the creation of a low contact-resistivity ohmic contact.

並列關鍵字

Ohmic contact ； Polymer ； Contact resistance ； Oxides ； Work function