用於能量回收型有機發光二極體之多晶矽薄膜電晶體及非晶矽p-i-n太陽能電池

The poly-Si Thin Film Transistor and a-Si:H p-i-n Solar Cell for Energy-Recoverable Organic Light Emitting Diode

陳進吉(Chin-Chi Chen)

指導教授 ： 李嗣涔

國立臺灣大學/電機資訊學院/電子工程學研究所/碩士(2004年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2004.00792

摘要

在薄膜電晶體和有機發光二極體之間使用太陽能電池用以吸收太陽光和有機發光二極體所發出來的光可以解決用薄膜電晶體驅動有機發光二極體時遇到的對比降低之問題，而且還可以回收光的能量以架構能量回收型有機發光二極體。在本文中，用於能量回收型有機發光二極體之多晶矽薄膜電晶體和非晶矽p-i-n太陽能電池將分別被探討。藉由準分子雷射熱退火的方式及使用SiON作為吸熱層的多晶矽薄膜電晶體已被成它a製備，它的特性如下: 電流開關比有五個量級、臨界電壓為3.7伏特以及場效電子遷移率為20.3cm2/V-sec。非晶矽p-i-n太陽能電池亦被成它a製備，其中特性最好的一個在白光照射之下有百分之4.24 的必v轉換效率以及在入射光波長為570奈米附近有一個最大的量子轉換效率約為0.5。雖然在本文中，太陽能電池的特性在有機發光二極體沉積於其上之後受到影響。但是，藉由在有機發光二極體之下使用太陽能電池可以降低反射而薄膜電晶體驅動有機發光二極體時遇到的對比降低之問題將可以隨之解決。

關鍵字

多晶矽 ； 太陽能電池 ； 有機發光二極體 ； 薄膜電晶體 ； 非晶矽 ； 能量回收

並列摘要

Solar cell was used between thin film transistor (TFT) and organic light emitting diode (OLED) to absorb both the sun light and the emitted light of OLED to solved the contrast problem in the TFT-driven OLED and to achieve the energy-recoverable OLED. The poly-Si TFT and a-Si:H p-i-n solar cell for energy-recoverable OLED were studied in this thesis, in respectively. The poly-Si TFT with a SiON absorption layer fabricated by excimer laser annealing was successfully achieved, its performance is as follows : five order in ON/OFF current ratio, 3.7 V in threshold voltage, and 20.3 in field effect mobility. The a-Si:H p-i-n solar cell was fabricated successfully, the best one has power conversion efficiency of 4.24 % under white light illumination and a maximal quantum efficiency of about 0.5 at about 570 nm. Although the performance of solar cell was affected after depositing the OLED. But, by using the a-Si:H p-i-n solar cell below the OLED, the reflectance can be reduced and the contrast problem in the TFT-driven OLED can be solved.

並列關鍵字

OLED ； energy-recoverable ； solar cell ； a-Si ； TFT ； poly-Si

參考文獻

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