- 學位論文
蕭特基延伸應用於高功率與射頻之矽基板氮化鎵元件
GaN-Based Devices on Silicon Substrate with Schottky Extension for High Power and RF Applications
延伸閱讀
- 鄒權煒、徐碩鴻（2017）。應用於射頻之矽基板氮化鎵元件技術。國家奈米元件實驗室奈米通訊，24(4)，27-32。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=1029502x-201712-201801300007-201801300007-27-32
- 林辰憶（2014）。應用於毫米波之矽基板氮化銦鋁/氮化鎵高電子遷移率電晶體設計與製作〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-3103201511193420
- Hsieh, T. E. (2015). 高功率電子應用之氮化鎵半導體於矽基板的元件製作與特性研究 [doctoral dissertation, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2015.00876
- 朱宇衡（2018）。高頻與高功率氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體製作於矽基板之研究與分析〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU201801428
- 魏凱斌（2015）。Fabrication and Analysis of GaN-Schottky Barrier Diode On The Si Substrate〔碩士論文，國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-0312201510310469