低功耗綠能電晶體之陡峭次臨界斜率元件

Steep Slope FET for Low Power Electronics Applications

朱冠宇 ； 劉謙 ； 魏永泰 ； 林哲群 ； 李敏鴻

《國家奈米元件實驗室奈米通訊》 22卷1期 (2015/03) Pp. 8-12

摘要

利用鐵電材料閘極堆疊之場效電晶體，其陡峭次臨界擺幅範圍可有效延展，顯示出能有效的改善次臨界擺幅。藉由鐵電負電容的特性放大內部電壓效果造成傳導電導提升118%而通道電導提升16%。此研究提出鐵電極化耦合的概念，且包括陡峭次臨界斜率元件之低功率應用。

關鍵字

鐵電 ； 負電容 ； 次臨界擺幅

並列摘要

Using a ferroelectric gate stack, the range of the steep subthreshold swing of FET-elde-ect transistors was extended and improvement in the swing. The ferroelectric negative capacitance e-ect bene-cial to voltage ampli-cation with transconductnace 118% and channel conductance 16%. The concept of coupling the ferroelectric polarization is proposed for low-power applications of steep subthreshold slope devices.

並列關鍵字

Ferroelectric ； Negative Capacitance ； Subthreshold Swing