製備氧化銦錫薄膜之光學與電學研究

Investigation of Optical and Electrical Properties of Indium-Tin Oxide Films

王健嘉(Chien-Chia Wang)

指導教授 ： 林清彬

淡江大學/工學院/機械與機電工程學系碩士班/碩士(2015年)

https://doi.org/10.6846/TKU.2015.00227

摘要

本研究利用共析出法及溶劑熱法成功製備摻雜鈣、鋰及銅之氧化銦錫粉末，摻雜濃度分別為4at%、6at%及8at%，並探討摻雜元素及含量對粉體之光學及電學性質影響。由XRD繞射分析知摻雜元素不會改變氧化銦錫晶體結構。由全光譜儀分析知，摻雜鈣離子會降低其能隙，呈現出紅移的趨勢；而摻雜鋰離子則會增加能隙，呈現出藍移的趨勢。由霍爾電壓分析知，載子濃度隨摻雜量提升而上升，遷移率則是相反。

關鍵字

摻雜 ； 氧化銦錫 ； 鋰 ； 鈣 ； 銅

並列摘要

The present study has been successful prepared the Ca, Li and Cu -doped ITO powders by the processes of co-precipitation and solvothermal, and the doping concentration are 4at%, 6at%, and 8at%. The effects of doped-elements and content on the optical and electricity properties of ITO powders were investigated. By XRD diffraction analysis, we know that the doped-elements would not change the crystal structure of indium tin oxide. Doping Ca in ITO powders lowered its band-gap energy, and then the spectrum appeared the trends of red-shifted by UV-Visible-NIR spectrophotometer. The band-gap energy of Li -doped ITO powders tended to increase and then the spectrums appeared the trends of blue-shifted. With the increment of the doping concentration, the carrier concentration increased and the mobility decreased.

並列關鍵字

indium tin oxide ； doping ； lithium ； calcium ； copper

參考文獻

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