Title

封裝技術對三、五族氮化物發光二極體壽命影響之研究

Translated Titles

The Influence of Ⅲ-Ⅴ Nitride Based Light-Emitting Diodes’ Lifetime with Different Package Technology

Authors

曾合加

Key Words

藍光發光二極體 ; 封裝技術 ; InGaN ; LED

PublicationName

中興大學精密工程學系所學位論文

Volume or Term/Year and Month of Publication

2006年

Academic Degree Category

碩士

Advisor

林佳鋒

Content Language

繁體中文

Chinese Abstract

在LED新技術不斷的發展突破及壽命的延長下, LED應用於顯示器背光源、型投影機、照明及汽車燈源…等市場潛力已受到廣泛注意。但是在實際封裝應用後,我們發現即使在一般操作電流下常有壽命衰減異常問題的產生,部分案例甚至在短短168小時內亮度即衰退50%,故封裝技術扮演著重要的角色,且仍有許多問題待我們去克服,如散熱、UV短波、封裝料折射率等。 本研究利用各個實驗找出各種造成封裝衰退異常之失效模式,在確認真正的失效原因後,進一步尋找出能利用不同之封裝方式與技術解決造成封裝上造成的失效,且讓LED更有效展現長壽命特性之方法。最後我們歸納出維持封裝後長壽命的方裝技術包括二極體背面鍍反射層並利用共晶之固晶方式、品質較佳之環氧樹脂材料、二極體與環氧樹脂之間添加矽膠等封裝方式與條件。

English Abstract

As the development of the new technology, the LEDs can be used widely. The market applications of LEDs on display backlight, light source of mini-projector, general lighting and automobile lighting etc… have attracted much attention in these years. In the future, white LED is most important for the illumination application. Encapsulant plays an important role in the LED device. It can extract light from the LED chip and protect device from damage. However, LED encapsulant has lots of challenges to overcome, such as high refractive index, thermal resistance, UV resistance, etc. In this thesis, we will discuss the LED encapsulant defect modes and find the better encapsulant technology to increase the lifetime of LEDs.

Topic Category 工學院 > 精密工程學系所
工程學 > 工程學總論
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