,再加上 GaAs 的折射率約介於 3~4 之間,相對於空氣(n=1)以及與空氣交界之 p-GaP (n~3.2)[5]來的高出許多,因此近乎大多數的光子都將被侷限於晶體內,無 過,還可能會讓熱堆積在元件之中,進而影響元件整體的發光效率以及使用壽命。因此,欲製作出以 AlGaInP 為材料品質好、效能佳的元件,便是選擇一個晶格能和磷化物相匹配的基板
efficiency),定義為每秒從 LED 發光層發射出光子數除以每秒從外部注入電子數。影響內部、外部量子效率的因素如下[14]: (A) 影響內部量子效率之因素: 由於電子移動的速 Roughening),表面粗化可以增加光取出,如圖 2.16(a)(b)所示。 圖 2.13 影響外部量子效率的因素之二
會同時帶來內部量子效率的提升,以及由於過多的載子所造成量子井侷限載子的能力降低。圖 3-13 為樣品 A 與樣品 D 之相對外部量子效率對電流的關係圖。由此圖可明顯看出由於樣 激發所放出光子數的比例,便可獲得各樣品相對之內部量子效率。經由實驗的結果,如圖 3-6 所示,我們發現摻雜層數越多的樣品,其估算之相對內部量子效率也越高,這個結果也符合之前的
與 1.82。由厚度與折射率可推得其等效厚度為 488 nm;約為 LED 發光波長 631 nm 之 3/4,應為建設性干涉。同時由圖 3-1 的反射譜也可以看出 R1 的 如圖 3-7所示。由圖我們可以看出 L1、L2 元件的波長變化斜率較小,且為單純地線性上升。然而 L3、L4 元件除了上升斜率較大之外,斜率本身也在 150 mA 之後變小
2 用市場方面指出[4],UVLED 在應用市場上以每年 10%成長率在成長,其中 UV固化方面的應用發展到 2016 年時將成為最大宗應用。 由於 達直接成長於藍寶石基板上之 LED 的 2.5 倍。為了使 LED 元件有更高的輸出功率,必須將 LED元件操作於更高的電流,但是熱傳導率不佳的藍寶石基板卻使得 LED 元件
個 LED 快速篩檢的方式都定案,之後新產出的 LED 就可以依此進行穩定度分析,並快速篩檢出良率不佳的 LED。 石基板上,這種方法可以成長出高品質的氮化物晶體[16, 17],之後使用這種低溫緩衝層的突破,並藉由鎂(Mg)摻雜和低能量的電子光束(low energy electron
價鍵連接,構成正四面體,熱能藉由共價鍵震動,藉由聲子傳出,其速率比電子流動還快,人造鑽石已開發出許多不同型態的鑽石因此鑽石適合應用於高導熱複合材料之研究,目前國內外均有業界從 小時,而發光二極體(Light Emitting Diode, LED)則可達 100,000小時,連續使用時間可達10年以上。除此之外,白熾燈泡的光電轉換效率大概只有10
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