物 (Precur-(Precur-sors),採用原子層沉積法於 300°C 及 600°C 生長氧化鋅薄膜於 (0001) 面或 (1120) 面氧化鋁 (Al2O3 做為鋅原子及氧原子的反應前驅物,載流氣體為高純度之氮氣 (N2)。在部份樣品,氧化鋅薄膜直接生長於 (0001) 面的氧化鋁基板上,僅調變 DEZn 流量及生長溫度等參數
.................................................... 13 圖2-8 以 ALD 分別沉積氧化鋅於 GaN 及 YSZ 基板之 XRD 繞射圖譜[33] .... 13 圖2-9 以微波輔助水熱法方式成長氧化鋅磊晶薄膜俯視及側 次在 MgAl2O4 基板上以化學水溶液法(水熱法)成長磊晶氧化鋅薄膜。隨後其他研究團隊也分別於 ZnO 及 GaN 之晶格匹配基板上,利用調控水溶液中不同 pH 值、成長溫
阻止氧化鋅在基板上的成核及成長。由此提出一個可以達到合成順向奈米結構的方法,就是降低基板與粒子之間的表面能,使粒子相較於在溶液中成核,更容易於在基板上成核,而作者將基板表面官 41 第四章 結果與討論 4.1 緩衝層之相組成及微結構分析 於基板表面預先披覆一層氧化鋅薄膜作為緩衝層,主要原因之一是因為氧化鋅緩衝層的存在可以增加一維
附以及紫外光吸收,本研究利用水熱法製備氧化鋅奈米柱結構,將其合成於指叉電極晶片上以應用於氣體感測。 (eutectic t沒有放置觸Wagner 等媒在 900℃下構,而藉由VLS 目前被媒顆粒之大,可於基板成長溫度可以的熱還原作溫區可發生可結合成氧化鋅由於液相合金選
為 Czochralski 法。在薄膜成長之前先以丙酮、甲醇及去離子水依序清洗後,使用 BOE(Buffer Oxide Etch)將矽晶圓表面的原生氧化層(native , 氧化銦錫),因ITO 具有高導電度、高透光率、以及製程成熟等優點,所以成為目前最重要的透明導電材料。現有製造 ITO 透明電極之主流方法為濺鍍(Sputtering),大面積
如氫原子、氧原子、氮原子)作為前驅物,取代一般常用的水和氨氣[10]。由於電漿所產生的原子自由基以及其他處於激發態的原子和分子和基板具有更佳的反應能力,因此可以在更低溫成長 對薄膜各項性質之影響。發現在氨氣氣氛下退火能有效抑制氮原子高溫自表面逸出,因此能獲得較佳品質的氮化鋁薄膜。藍寶石基板上的氮化鋁薄膜於退火後量測發現薄膜的結晶性質和各項性質有明
, Ming-Chi Chou本文將介紹電漿輔助式分子束磊晶的基本儀器構造與磊晶原理,以及筆者利用國立中山大學之電漿輔助式分子束磊晶系統,所成長之高品質氮化鋁鎵/氮化鎵 (AlGaN ,以 c-axis (0001) 的方向成長最為普遍,但在 (0001) 方向薄膜成長之 GaN/AlGaN 異質結構,由於壓電效應 (piezoelectric
鍛造模具表面光滑度、降低磨耗量及延長使用壽命之目的。本研究以鍛造模具鋼平板試片為基材,藉由參數中電源功率改變對薄膜之影響,包括微結構、耐腐蝕性、耐氧化、耐磨損性等特性分析,達 勢與功率、反應時間、基材與遮罩間之距離及處理樣品對微波窗口之距離有關。實驗中基材之表面特性是由接觸角量測及原子力顯微鏡獲得。由接觸角量測實驗結果顯示,於基材表面放置遮罩並控制
法成長氧化鋅奈米線、鈰掺雜氧化鋅奈米線與核/殼結構之氧化鋅/二氧化鈰奈米線,及隨後以濕式蝕刻法製備出二氧化鈰奈米管與多孔二氧化鈰薄膜等奈米結構製備技術及其性質探討 並不一定是要單晶,所以開始有各種不同的研究指出其結晶性對發紫外光的影響。至於在有關氣體感測器方面的應用,目前氧化鋅主要偵測的氣體有CO、CO2及NH3等[26],而氧化鋅氣
燈絲的元素成份及化學鍵結,且量測溫度對於燈絲的影響,證明傳導路徑的燈絲為金屬鋅元素而氧離子的遷移居於主導地位。是首次成功用材料分析手法直接觀察到以氧空缺為基礎的電阻式記 原子層沉積 265 次循環鍍覆上的氧化鋁材圖 11 為穿透式電子顯微鏡分析氧化鋅 /氧化鋁-核/殼結構影像及元素分佈分析圖,圖 11(a) 可以看出氧化鋅與氧化鋁材料界面
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