相同,不僅具備了半導體特性也同時具備了壓電特性。 由 AFM 與 XRD 分析結果可知,我們採用濺鍍法於 PET 基板上所沉積之氧化鋅為晶向(002)之晶體結構,藉由晶向 、脈衝雷射沉積法、交直流射頻磁控濺鍍法等。此外,氧化鋅除了薄膜,也可藉由其他方式製成奈米結構,如奈米柱[22]、奈米管[23]、奈米梳[24]等。 由於氧化鋅基本特性優
drain 製作在 PMMA 薄膜的上方,藉由反應磁控濺鍍法技術將 Ta2O5 製作在 PMMA 薄膜的下方,並具有單位面積電容值 66 nF cm-2,半導體層則使用 copper .. Dennler 等人便是在 PEN 軟性基板上,以化學氣相沈積法沈積(MDMO-PPV):PCBM 作為有機軟性太陽能電池,其結構與元件如圖 1. 5。
。 實驗二為研究調變大氣電漿鍍膜時間和前驅物載流氣體流量來製備二氧化鈦散射層,並應用在染料敏化太陽能電池上。前驅物載流氣體有無經過前置加熱器對於所沉積的顆粒有很大的影響。散射層的 速燒結,第三部分較第一部分使用更多不同的載流氣體,並開發出燒結速度更快且更低溫的技術;關鍵因素也一併在本節探討。第二部分則是利用大氣電漿噴霧熱解法鍍上一層大顆粒二氧化鈦散射層
數都偏高,若直接使用傳統半導體製程製作非晶矽、多晶矽或蒸鍍、濺鍍金屬於高分子軟性基板上,由於對於製程熱應力以及接合條件的研究數量不如金屬與矽之間的充足,因此必須經過較多的測 都在 105 S/cm 左右,一般來說都是使用物理氣相沉積方式(PVD)的濺鍍或者是熱蒸鍍的等方式將金屬沉積於基材表面,但是因為這種金屬鍍膜方式並沒有選擇性,加上沉積金屬與表
、場效電晶體或是太陽能電池的導電層,但有效取代高分子軟性基板的材料一直是個棘手的課題,本研究藉由脈衝雷射沉積法成功結合氧化錮錫薄膜的透明導電性與透明白雲母基板的可撓性,製造出兼 3.2 鍍膜製程與方法3.2.1 脈衝雷射沉積系統在本實驗中,我們運用脈衝雷射沉積法蒸鍍5nm厚之釔安定化氧化鋯(YSZ)薄膜緩衝層於白雲母基板上,再將氧化銦錫鍍在此緩衝
的對比。 g.容易製程 有機半導體不像矽或是三五族在製作過程中需考量到晶格的匹配,而能夠很輕易的以熱蒸鍍的方式來製作多層模的構造,而能達到前述可製作在不同基板上的優勢。 結與化學反應的理想表面。【15】【16】 這個矽的7×7表面將會最為我們以後STM有機材料掃描的基板。 而下面圖形分別是利用STM以-2V及+2V偏壓(樣品相對於探針),所得
濺鍍等方式,蒸鍍在製程上,較容易製作出化合物薄膜最佳比例,但因蒸鍍設備材料成本過大,製程所需耗費時間較長,且在大面積生產良率不是掌控,而濺鍍雖然不如蒸鍍在化合物成分達到最佳比 目前市面上主要都是以矽晶圓為材料,主要是矽晶圓太陽能電池的製程技術和半導體產業相當接近,生產的技術與設備都相當成熟,但矽晶圓太陽能電池的製造方法,約有60%以上的矽都在生產
在聚萘二酸乙二醇酯軟性基板上製備全透明銦鎵鋅氧化物薄膜電晶體元件之研究學生:孫堯序指導教授:謝宗雍 博士國立交通大學 材料科學與工程學系摘要本研究在鍍有氧化錮錫 國國立交通大學材料科學與工程學系碩士論文在聚萘二酸乙二醇酯軟性基板上製備全透明錮鎵鋅氧化物薄膜電晶體元件之研究I_I CJヾ ジ^^^^^ ^C\ I■■■31
外,以 X 光繞射儀檢驗,發現此氧化鋅薄膜幾乎沒有結晶,且載子遷移率高,因此可應用於薄膜電晶體的製作。 最後,我們於藍寶石基板及矽基板上成長氧化鋅薄膜,並在基板與氧化鋅 )[31]、射頻磁控濺鍍 (Rf Magnetron Sputtering)[18, 34]及有機金屬化學氣相沉積 (Metal Organic Chemical Vapor
、離子摻雜與閘極氧化沉積等步驟,可應用在大尺寸的玻璃基板上。多晶矽比非晶矽有較廣的應用,因為能製作出 N-type 與 P-type 的 TFT。而且載子漂移率可高達 200 屬就如同半導體製程常用的導線,只是如果要應用到軟性基板,就要考慮基板材質特性適合哪些金屬。半導體製程常用的金屬如金、銀、鋁…等,大多使用蒸鍍製程沉積到基底上,蒸鍍製程又可分
為了持續優化網站功能與使用者體驗,本網站將Cookies分析技術用於網站營運、分析和個人化服務之目的。
若您繼續瀏覽本網站,即表示您同意本網站使用Cookies。