48 【光學工程 第一○三期 97.10】 表‧面‧粗‧化‧LED‧之‧發‧光‧效‧率‧專‧欄 表面粗化 LED 之發光效率專欄 應用奈米科技於氮化鎵覆 49 【光學工程 第一○三期 97.10】 表‧面‧粗‧化‧LED‧之‧發‧光‧效‧率‧專‧欄 extraction efficiency)來達到更好的發光效
問題 。因此 ,眾多團隊提出各種方法以期改善元件之效能 ,包含製作覆晶式(flip-chip)發光二極體 ,或是在表面上製作特殊結構 、光子晶體 、表面粗糙化等技術 ,來提 體元件之製程技術與前述章節中 ,使用光致電化學氧化法在發光二極體高台側壁上生成氧化鎵薄膜 ,以達到表面鈍化與表面粗化的效果 。最後藉由電學特性量測系統 ,做進一步的元件電學特
三種結構;如圖 2 所示,用以研究粗化製程與鏡面結構對元件特性之影響。其中第一種結構為磊晶膜成長於 PSS 基板與具低溫 p-GaN 粗化之元件,磊晶膜薄化拋光後並鍍上反 (c)所示;此一部份可用以探討除 PSS 粗化,若 n-GaN 再經化學蝕刻提供一非週期性粗化之表面,是否有助於元件之外部取光效率之提升;其結構如圖 2(c)所示,化學蝕刻
量測方式分析多孔隙 P 型氮化鎵薄膜對發光層影響,以期提高電子電洞對結合效率與提升內部量子效率。建立多孔隙發光元件製程技術,多孔隙 P 型氮化鎵薄膜之粗化表面有助於增加光 元件之 P 型氮化鎵表面粗化,製作高效率發光元件,研究元件特性如下: (1)多孔隙 P 型氮化鎵表面對光散射與破壞全反射有助於提升光取出效率。(2)多孔隙 P 型氮化鎵結構釋
變是本研究主要提升量子效率的方法。 由於一般傳統的濕式蝕刻無法對氮化鎵進行有效蝕刻,因此本研究以高溫濕式蝕刻方式,利用硫酸與磷酸兩種酸性混合液體調製所需之蝕刻溶液,在 320 粗化技術,以矽基板取代藍寶石基板,達到散熱改善的目的,與傳統藍光LED相比,發光效率增加約2.5倍,如圖2-9所示。 2. 表面粗化 (Surface roughness
efficiency)並造成元件之散熱與壽命減短問題。因此,眾多團隊提出各種方法以期改善元件之效能,包含製作覆晶式(flip-chip)發光二極體,或是在表面上製作特殊結構、光子晶體、表面粗 糙化等技術,來提升元件之外部量子效率[7,8,9,10],相關研究仍在持續進行中。 在半導體光電與電子元件的製作上,都會在元件表面覆蓋一層介電層以達表面鈍化
近成熟階段,後者主要針對高功率操作元件,在此先介紹人為加工製造之粗糙界面(磊晶後蝕刻所形)。 (一) 以磊晶成長後之粗化製程提升 LED光取出效率 在 2004 結構的 GZO 發現其 Vf 比 LED-B 稍微增加了。 圖 6 (a)以 GZO 薄膜作為 TCL 層並具週期性粗化結構之 GaN LED 元件概要結構(b
,可以藉由一粗化的表面而進入到空氣之中,這樣的效果約可增加光萃取效率約12%。雖然此方法直接且快速,但缺點是p-GaN對於電漿傷害過於敏感,因此採用乾式蝕刻來提升光萃取效率一 …………………………………… 7 1-3.1 改變外在之幾何結構 ………………………………… 8 1-3.2 圖樣化藍寶石基板 …………………………………. 8 1-3.3 表面粗化
粗化 GZO 搭配 ITO 組成複合式的透明導電層之發光二極體 (LED-C),與分別使用平面 GZO 薄膜來當作 TCL 發光二極體 (LED-A)、平面 ITO 和 GZO Ag/Cr/Au 反射式電極鍍在粗化 GZO 薄膜,相較於 Cr/Au 金屬電極鍍在平面 GZO 薄膜上,在注入 20 mA 電流條件下,光輸出功率可以有 30% 明顯提升。應
51 【光學工程 第一○二期 97.08】 太‧陽‧電‧池‧專‧欄 綠色能源光電元件與系統專欄 氮化鎵光子晶體結構在發光二極體與 面射型雷射之特性簡介 鎵系列之發光二極體與面射型雷射為近年來各界之發展重點,其相關之產品與應用早已廣泛被使用於各個領域之中。本文即針對近年來光子晶體結構在發光二極體以及能帶邊緣型雷射上的製作以及特
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