ZEP) 上直寫定義出圖案,再藉由顯影的方式得到阻劑結構。由於電子體積很小,且無光波長繞射效應之限制,因此其解析度可到達 nm 等級。傳統上微影製程的責任歸屬只及二維 (平面 影與摘要電子束微影技術為下一世代微影技術中的關鍵角色之一,藉由電子束微影技術所製作出來的各式奈米結構,構築了與真實奈米世界相互溝通的橋樑。本研究結合電子束直寫及灰階微影技術
鏡方式傳播之奈米聚焦光束,以建構具有高穿透能量且光束發散角度小的曝光設備,有效提升系統的解析度。鑒於傳統製程之成本甚高,本研究選擇高輸出、低成本的奈米壓印微影製作奈米直寫儀 之光學頭,以祈能提供另種相對便宜的奈米結構製作方法。 模具製作之良窳筱關奈米壓印微影成果之品質,本研究使用電子束直寫儀定義奈米圖案,再操作電感耦合電漿蝕刻機將結構轉移至三吋矽
,缺點為無法應用於三維光子晶體中,對此,我們提出了結合多光子吸收聚合化技術,配合掃描式雷射顯影系統,利用此方法可以將小尺寸缺陷精準的寫入光子晶體之中,此方法可以應用於加入缺 缺陷和大面積的結構,如何將缺陷加入以全像術所得週期性結構中以提高其應用價值,是一個很重要的課題,在此,首先介紹結合全像干涉術與光罩顯影技術之方法。此方法的優點在於可快速寫
42 第4章 奈米直寫儀之架構與校準 奈米直寫儀為本研究團隊根據先前所製作的雷射光罩刻板機28,29加以改良,其目的為利用前述之現象製作奈米微結構光學頭,並 力顯微鏡(AFM)量測結果可以發現,所製作的深度以及週期並不是太準確,可能因此導致實驗結果與模擬結果有誤差存在。. 圖 5.12 奈米直寫儀光學頭之電子顯微鏡照片
描式電子顯微鏡(Scanning Electron Microscope,SEM)的概念發展而來,波長為深紫外光的數千分之一,具有極佳的解析能力,以往電子束微影系統多用於光學 微影系統所使用之光罩製作,近年來由於其高解析力,亦被應用於晶圓直寫(directwrite),理想上是優良的微影技術,但是電子束微影系統存在著著電荷效應(Charging
。由於不可能以傳統光學微影技術製作次波長的圖案,而電子束刻版技術又因具備奈米解析度、高精密控制與彈性操作的特性成了最早被聯想到的方法之一。利用電子束直寫法寫出週期排列的奈 ,為最主要的貢獻因素。雖然 EBR 設備具有高價格的不利因素以及量產上寫入速度慢的劣勢,但其優異的曝光準直性,及奈米級圖形直接製作地準確性,非是一般光學微影所能匹配。尤其
試樣本。測試樣本之製程設計可採用基於光阻之微影技術以及直接噴濺製作出微結構等方法。本文先對缺陷檢測在先進製程之重要性做一簡介,並指出測試樣本對研發缺陷檢測技術之必要性。之後針 與困難度,然而不可否認的以全世界已投入的研發資源來看,極紫外光微影技術目前整體而言最為成熟,半導體製造大廠台積電、三星和英特爾都相繼提出其 EUV微影之導入藍圖,因此本文
,更可以完成長時間直寫之電子束微影的奈米尺度大陣列,詳細製程於本節 2.(3) 大陣列磁性薄膜奈米元件製程詳述。 (2) 蝕刻製程技術在半導體製程中,蝕刻 (Etch 微影術才能達成目標。茲針對一般研究型實驗室的規模,說明如下,尤其以本實驗室透過電流垂直膜面 (current perpendicular plane, CPP) 元件、電流
21 圖 2-17 以 BSA 製作之結構顯微鏡影像:(a)金字塔結構;(b)垂直線以BSA 製作 [23] 於 2005 年,Y. Liu 學者等人,利 VII 圖 2-18 以 Ti:sapphire 雷射製造之蛋白質支架顯微鏡影像..………...… 21 圖2-19 以Nd:Yag製造之結構SEM圖
維與三維之圖形。具有能夠精準定位、噴印線寬可從數微米至毫米以及噴印材料種類廣泛之特性,自1990 年代以來有著迅速的發展。直寫技術主要可以分為四大系統,即 一霧化器製造出直徑為1 "" 5μm 之微小液滴,最小直徑可至 20nm 。墨水種類可以包含金屬、合金、陶瓷、高分子甚至生醫材料。接著於霧化器容器內部上方通入氮氣推動液
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