processing)等。表 2-3 為各式磊晶製程之優缺點。 其中以氣相磊晶製程成長氧化鋅磊晶薄膜技術相當成熟,已經可以透過PLD、MBE 或 MOCVD 在藍寶石基板上成長高品質氧化鋅磊 義守大學 材料科學與工程學系 碩 士 論 文 以 低 溫 水 溶 液 製 程 進 行 氧 化 鋅 薄膜 側 向 磊 晶 成 長 之 研 究 The
在 ZnO 磊晶方面,從掃描式電子顯微鏡之觀 察,可以確定MWCBD 在加入檸檬酸鈉後,有助於成長出連續膜磊晶; ZnO 膜厚約為1 ym,X 光繞射 ①-scan量測得到 -scan則可以測量試片特定晶面的軸向對稱情況,測量時將入射X光與待測晶面夾角符合布拉格定律,並轉申角偵測繞射訊號以得到晶面對稱狀況〇此量測可進一步判斷基板與磊晶膜層之間的晶軸對應
Growth)、薄膜厚度控制準確、表面覆蓋均勻性佳、可使用低成長溫 、可大面積磊晶等優勢,十分適合應用在半導體薄膜製程。在本文之中,我們將報導以二乙基鋅及氧化亞氮為鋅及氧元素的前驅 積單一氧化鋅原子層。在自限式生長條件下所生長之氧化鋅薄膜均呈現良好的光穿透特性。在 600°C 下生長之氧化鋅薄膜若其緩衝層經過高溫退火處理則可有效地提升其結晶結構和 PL
, 60nm 和 80nm 的氮化鋁薄膜緩衝層,其後於 MOCVD 腔體中在氨氣氣氛下升溫至 1130°C 並持溫 10 分鐘後,成長氮化鎵磊晶層之 XRD 圖。可以發現當緩衝層厚度為 、SEM 和橢圓儀分析退火處理對氮化鋁薄膜各項性質之影響。 第四章成長氮化鋁薄膜於藍寶石基板上作為緩衝層,再進一步使用 MOCVD技術成長氮化鎵磊晶層於其上,分析氮化鋁緩衝層的厚度
晶(MBE)在低溫下能夠沉積氮化鎵的薄膜,如果是以砷化鎵為基材的時候一般人會使用 MBE 而不會使用有機金屬化學氣相沉積(MOCVD)或氫化物氣相磊晶(HVPE )℃ ,所以很難使用傳統的熔融後再拉單晶的方式成長之,因此成長高品質的氮化鎵晶體都要仰賴基板來達成。氮化鎵晶體要求的嚴格條件是成長品質佳且缺陷濃度低之磊晶薄膜,所以利用氮化鎵材料當作
LED與LD發光元件則需要磊晶膜。ZnO同質磊晶在c-plane之成長已經可以得到極佳之品質,在sapphire單晶上利用MBE亦可以成長出品質極佳之磊(If* »晶膜[58 或m-plane ZnO ,可 降低其影響。然而,非極性 ZnO薄膜之磊晶成長亦遭遇到和GaN類似的困難與挑戰,主要在於差排、疊差過多以及表面成條紋狀而不夠平整。在磊晶成長的
在台灣成為一新興工業。 然而目前能隙工程的薄膜技術以分子束磊晶法(MBE)、金屬有機氣相沉積法(MOCVD)等單晶沉積法為主,但由於環保意識抬頭與成本的考量,利用濺鍍 法來成長超晶格結構薄膜來進行光電子元件製作也愈發常見[1-5]。濺鍍法的製程速率一般較快,同時適用於大面積電子元件,且可以應用在低溫製程。但其缺點在於所製作之薄膜具有較高之結
(plane view)量測。即便如此,此 AlN 磊晶薄膜的差排密度僅約為 1010 cm-2,雖遜於以 MOCVD 法所研製之最佳薄膜[66],但頗接近甚至優於文獻中同樣利用 I 摘要 本論文利用迴旋濺鍍系統,成功的以 300-500℃的低溫直接在藍寶石基板上沉積 AlN 磊晶薄膜,探討 AlN 之成長機制及分析其結晶品質,並在AlN
。此方法可以避免合成氧化鋅薄膜之前,因提早發生劇烈的化學反應,導致副產物的產生,而此副產物的出現,將導致沉積之氧化鋅薄膜磊晶品質下降。 圖 3.3 腔體內部示圖 軸之材料基本上是垂直於塊材表面,所以當施加壓力於表面時它的結晶面非常容易滑動或傾斜,故硬度較低。而大多數磊晶成長之氧化
單純地藉由調整 ALD 的 cycle 而可以預期得到不同特性的抗反射薄膜。圖 2-10 為不同厚度氧化鋅沉積在矽晶片之光學照,可以發現隨著厚度、反射率不同顏色也有所改變,在 低的反射率。最後,在最佳化氧化鋅奈米陣列抗反射結構之後,矽晶太陽能電池的效率可以從無反射層的 9.08%提升到 18.28%。 關鍵字: 抗反射層、太陽能電池、氧化鋅奈米
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