之S(TPA- BT )會有較廣且強的吸光特性,因可獲得較好的光電流表現,除此之外也有較小的分子能隙、高的載子遷移速率以及較佳的形貌 ( morphology ) ,元件光電 鏈之BTT單體,此高分子具有寬廣能隙為2.05 eV,也因HOMO能階較低為5.56 eV,所以可以得到較佳之Voc值0.83 V,而在添加DIO添加劑後,因薄膜表面形貌得
構以sp2分子軌域構成,除了單鍵(60)鍵結之外,還有p-p軌域重疊鍵結形成雙鍵,當單鍵一雙鍵交替時,雙鍵上的n電子可在p軌域上較容易移動。由於電子必須跨越能隙オ可導電,為了 元件特性的影響。改變側鏈結構會影響高分子的溶解度、構型,以及電性質,與PC71BM混摻之後會有不同光電性質。三種二維結構高分子效率皆表現不差,其中PBDTTBO加入添加劑1
ffusion);(3能階及異質制的每一道過陽能電池的激料之能隙時電子被激發至回到激發態的g)平衡,形腹的電子-電外的力量來拆理 生有效的光)激子分離(質接面形態表 ]......................................24 圖 2-13 P3HT:PCBM 光作用層在(a) 熱退火處理前 (b) 熱退火處理後 之 TEM 影像、電子繞射影像以及型態示意圖[25
電子傳輸仍有多種不可忽略之影響機制。以目前文獻所提出的,包括有推拉電子基團改變界面之偶極、調整電子受體及予體能階、影響電子傳輸與重組機制、改變上層高分子排列與結晶型態與增加吸 ,對於奈米晶體的研究,大多針對其型態進行探討,期望藉由合成出具備立體結構之奈米晶體[36](參見圖2.6),在光作用層中能形成三維的通道,提供比二維連續網絡更完備的電子傳輸途徑
%的效率[10-13]。而近幾年來,新型材料如低能隙(low bandgap)而可吸收更多太陽光能量之導電高分子 [14, 15],以及與P3HT 能階更匹配的 C60 衍生物 能隙值。分子能隙隨共軛度增加而減少的情形如表 1.1 之聯苯型有機半導體吸收峰值紅移現象所示。這兩種有機半導體一個重要的差異在於他們的成膜方式。小分子的成膜通常是經由昇華
已可操作於小型風扇或電子計算機等耗電量低之電器上。本研究主要目的是藉由轉印製程來製備多層結構電子元件,已達增加太陽能電池光電轉換效率以及有機發光二極體元件效率,在有機太陽能電 一個典型的無機太陽能電池主要是由結晶態矽晶由摻雜過程形成 P 型-N 型半導體材料接面,P 型導體具有多餘可移動之電洞,而 N 型半導體具有多餘可移動之電子,在 P 型-N
的光伏特性,此結果除了提供我們一個方向去設計適用於反式高分子太陽能電池的新型碳六十衍生物之外,也使我們了解,除了碳六十衍生物的溶解度會影響混摻薄膜之形態外,改變碳球本身的電子 .............................................................. 51 表 3-2 高分子材料之 UV-vis 吸收光譜數據表,包含吸收波峰最大值(λmax)、吸收起始波長(λonset)、光學能隙(Egopt.)及吸收係數
(a)新型之低能隙導電高分子 PCDTBT;(b) 在可見光波段具有吸收特性的PC70BM;(c)使用 ZnO 電子選擇層及 MoOx 為電洞傳輸層的倒置結構示意圖及(d)各功 近幾年來,新型材料如低能隙(low bandgap)而可吸收更多太陽光能量之導電高分子 [13, 14],以及與 P3HT 能階更匹配的 C60 衍生物如 indene
之小分子材料 O1 及 O2。合成步驟如流程圖 4-2 所示。此反應流程之產率皆偏低,原因在於進行鈴木偶合時同樣有選擇性的問題,部分反應形成對稱產物 CTC 及 C2TC 得到卡唑對稱分子 CBC、CTC 及 C2TC。進而以 Yamamoto 反應聚合成卡唑為主鏈,噻吩及苯並噻二唑為側鏈之聚合物 P1。聚合物以凝膠滲透層析儀(GPC)測試,分
PPV 系列為主的 polymer 在元件效率上有較大的重要突破。往後許多研究團隊展開了對不同種類的共軛高分子及碳六十衍生物相互混摻形成的 BHJ 結構之元件的探討。在 高電池效率的重要途徑之一。由於,anthracene 為共平面性良好的共軛基團,並具有高載子遷移率,因此本研究中,將 anthracene 以側鏈及主鏈的 方 式 導 入 至
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