GaN 基板的製作,以運用於Deep UV LED是急迫須要。本文將利用圖形製作遮罩,搭配磊晶側向成長之方法,克服GaN厚膜成長時所面臨的難題,以開發高品質、低缺陷之大尺寸氮化鎵 (VAS)等。 本研究利用被圖形化的氮化鎵模版層,搭配磊晶側向成長之方法以及自我分離技術,克服 GaN 厚膜成長時所面臨的種種難題,製作高品質、低缺陷之氮化鎵厚膜與基板
氮化鎵基板的價格相當昂貴且較難取得,也讓不少人望之卻步。因此目前氮化鎵磊晶層的成長主要還是以異質基板,例如:藍寶石基板、砷化鎵、碳化矽和矽基板為主。但是異質磊晶也衍生出一 氮化鎵磊晶層不僅有較佳的磊晶品質,同時磊晶層的內部應力也較小[17],本研究即是利用這種錐形圖形化藍寶石基板搭配奈米壓印技術,將錐形的圖形轉印到二氧化矽層上,之後將發光二
元件效能,及討論磊晶單晶矽摻雜濃度、厚度對元件特性之影響。 最後我們用太陽能模擬器 AM1.5G 的照射條件下,對於太陽電池中的四個重要參數,轉換效率、短路電流、開路電壓與 限制。於是設計理念變是利用在磊晶上與矽相容之鍺元素,藉由引入較小能隙的矽鍺合金對於紅外光有較佳吸收響應,來延長吸收波長的範圍,以利增加吸收太陽光的比例。 太陽電池主要
-------------------------------------------- 41 圖 4.2 基板清洗步驟之流程圖----------------------------------------- 42 圖 4.3 氮化鎵薄膜的磊晶生長過程 。 (3) 若以化學氣相磊晶法(CVD)或氣體分子束磊晶法(GSMBE)方式磊晶,由於係以 Si 為基板,基板與磊晶晶體的晶格常數相差2.35Å,晶格不匹配產生之問題較難解決
有助於感測及生物上之應用。 量子點雷射是以量子點作為發光層所形成的,要有好的雷射特性,首先要磊晶成長高品質的量子點以作為雷射的活性層 。 如 圖 2 所 示 , 使 量子點磊晶技術,成長高品質邊射型雷射結構磊晶片,成功地解決長波長量子點材料光增益不夠大的問題。圖 4 為十層砷化銦量子點活性層之結構示意圖及其穿透式電子顯微鏡微觀放大照
3 1.2 研究動機與目的 由於目前積極推廣將發光二極體應用在一般照明市場,提升其效率是第一要素。可藉由改善其磊晶品質,提升發光二極體之內部量子效率,或是改 ),主要影響因素為晶體品質好壞與元件內部磊晶結構的設計。因為氮化鎵與藍寶石基板之間有著16%之晶格不匹配,導致磊晶後氮化鎵磊晶層之錯位差排密度高達108~1010 cm-2
V−−=,並成功找到合適的生長溶液濃度及生長時間可以製作出氧化鋅薄膜在氮化鎵磊晶層上。緊接著,我們利用 AFM 量測此薄膜之表面粗糙度,發現其表面粗糙度約在 5.46 膜具有強烈的 c 軸取向且在氧化鋅(0001)晶格面之半高寬值為o1682.02=θ,此實驗結果可與利用 PLD 磊晶出的氧化鋅薄膜之結果不相上下,表示利用簡易
,並得到兩者的磊晶關係;另外,亦以掃描式電子顯微鏡與原子力顯微鏡,了解薄膜之表面形貌;在光學特性與電性部分,利用紫外光-可見光-近紅外光光譜儀與霍爾效應分析儀,研究AZO透明性 差。除上述之優缺點外,此三種可撓式基板皆難以成長磊晶材料,而磊晶後不僅材料特性較為優異,在分析上也可減少缺陷造成的影響,對於開發高性能元件或試驗新材料都有相當大的幫助,無法成
Deposition, MOCVD)磊晶低溫的 AIN緩衝層,成長出表面平坦的氮化鎵薄膜,提高了發光亮度[9]。在1993年,日本日亞公司利用MOCVD製作氮化鋁銦鎵一族之材料(GaN 進行晶圓接合,然後研磨接合完成之試片矽基板側,使得規則陣列孔洞顯露出來(圖4-27)。但由於圖形化矽基板與砷化鎵磊晶片接合區域,僅僅只有圖形化矽基板的走道部分,接合區域少
ITO/PEN加熱下的外觀變化圖.........10圖8 (a)一般磊晶示意圖(b)(c)(d)凡德瓦磊晶示意圖........11圖9 氧化鋅與鈦酸鍶之結構示意圖 晶格匹配度,才能獲得高品質的磊晶薄膜,若選擇晶格差異過大的基板,成長之材料會因為結晶性不好或晶格承受過大應變而降低其特性表現[25] 〇凡德瓦磊晶(van der Waals
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