旋狀態為 s = 0 (2J ~ -2000 cm-1);混價雙核銅簇雙氧錯化物 (3) 則由於是 Cu(II)Cu(III) 所形成的混價狀況具有電子基態自旋狀態為 s = 1 的自旋態電子基態,與先前所提在理論計算中應具有高反應性的三核銅簇含雙氧錯化物應具備有強反鐵磁耦合作用 (antiferomagnetic coupling)並不相同
dxy 軌域,因此皆為S = 0的電子自旋。將其相關鍵長整理,如圖3.2.6所示,可發現八配位之鎢跟氮之間的鍵長與產物(1)相當接近,因此,推測產物(1)鎢金屬之氧化態應與之相 的電子應是位於雙核鈷的單元,因此推測其只有一個磁性中心 Co2+ (S = 1/2),300 K時的μeff為 2.01 B.M.,接近於純自旋理論的 1.73 B.M。錯合
的態密度。所有高自旋極化材料中最受關注的材料之一為半金屬材料 (half-metal) , 半金屬材料是一種不需要外加磁場即具有完全自旋極化的材料。 理想的半金屬材料對某一自 本特質:1. 磁矩量子化考慮一個半金屬原胞內具有 N 個電子, 並假設自旋向下能帶具有能隙。 若自旋向下的能帶被 N↓ 個的電子全填滿, 由於每一狀態只能容納一個電子, 因
。 相比之下,當基態時所具有整體的自旋態值不為零時,例如圖 1-8(c)所示,在磁性性質為陶鐵磁性(ferrimagnetic) 金屬簇系統中存在著一個Ising-type 的異 子數應與(1)結果一樣。 另外,由文獻報告 82-85 結果整合出,當 g=4.3 時表示為鐵離子以Fe(III)高自旋態 S=5/2 存在,當 g≒2 則是 Fe
S,因而也就必定具有一定的自旋磁矩,這是粒子具有一定的內部結構所致。可以將粒子的自旋磁矩S與其自旋角動量S之間的關係寫成SmegeS2。係數g稱為粒子 5 它的迴磁比g = -2.0023193,而且知道它的自旋角動量平方S2的大小為2)1(SS,其中自旋量子數s = 1/2,它的兩種磁量子態為±1
(spintronics)是現今科學發展的主流之一。自旋電子元件發展的目的,是希望能夠同時操控電子的電荷態及自旋態兩種自由度;傳統的電子元件運作是以電荷的數目及能量為基礎,在速率及能量消耗上有一定 導電子無法保持原先的自旋量子態,也會失去稀磁性半導體原本的磁性來源是來自於傳導電子與磁性原子的外層電子彼此間的交互作用,而造成鐵磁序化排列且具有極化電子的能力。因此在製備稀
Exchange Coupling,IEC)的影響[17]。NiFe具水平形狀異向性且因NiFe屬於軟磁(調控層)和[Co/Pd]5的強垂直異向性(固定層)之間的相互競爭下會形成特殊的磁層 。 接著要利用FMR探討水平形狀異向性的NiFe和垂直異向性的Co/Pd之間的相互競爭,如圖1-2-9所示為FMR的實驗結果。其有效磁化量Meff是利用Hurben-Patton
”中每一個的算符,並以下列幾點規則作自旋狀態或算符序列的更新:1. 若遇到ー橫場項算符(非對角算符)方一*,則更新該算符所對應之晶格位置其作用後的自旋狀態,即自旋的翻轉。2 |巾〉將被算符序列Sn中的算符依序作用,故S”可視爲D維自旋模型的額外的維度,構成一刀+ 1維的模擬空間。在實際計算中,算符數目n為浮動的値,我們選擇一大於仇的高幕次M來截
(transition state, TS)、中間物(intermediate state, MS)、最終態(final state, FS) 在 N-graphene 之 C-C-1 site 理論來研究 CO 和吸附在氮摻雜奈米碳材上 O2 的氧化反應機制,並利用 NEB 方法找出反應物、中間物、過渡態和產物之間的相關性,同時也利用分子動力學去模擬氧化反應機制。
旋系統經過一段夠長的時間,使其達成熱平衡狀態,再施加一個脈衝或脈衝序列,使核自旋系統處於一個非平衡的狀態。例如:縱軸的磁化量受到一個脈衝,激發到 xy 平面的橫向磁化量。 響而非各自獨立的,當一個自旋態(spin state)和平衡態之間有所偏差時,會轉移給另一個自旋態,使其偏離平衡態,這個效應稱為 Nuclear Overhauser
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