、二次離子質譜儀與原子力顯微鏡的觀察顯示, NH3 低溫退火的確可以氮化介電層,進而引發其中 ZrO2 薄膜的主要結構由立方晶相轉換成正方晶相。此外,介電層的表面氮化除了可以阻 止後續成長 TiN 電極時的雜質滲透,且由氮化引起的局部斜方晶相與氮氧化鋯奈米微晶成核析出,亦可細化結晶薄膜的晶粒尺寸,而使得整體層狀薄膜的表面粗糙程度獲得改善 (圖一)。由本
計算出STO與ZnO的載子濃度,並獲得平帶電位(flat-band potential)。實驗所用電解液為0.5M硫酸鈉(Na2SO4)水溶液,模擬太陽光為照射光源,而非照光 STO/ZnO的光電化學表現。本研究裡所有線性掃描伏安量測皆以ITO作為底電極,電解液使用0.5M 硫酸鈉(Na2SO4)水溶液,照射光源為500W氙燈及100mW/cm2光強度
ii 能隙值增加效果有限。 對此,本研究提出以後續硫化處理以改善CIGSe薄膜的均勻性及Ga偏析現象,於硫化製程中將針對溫度及持溫時間做一系列的探討,觀察此參數對 時間進而促使CIGSe薄膜中In、Ga元素的擴散反應,改善CuInSe2與CuGaSe2相分離等問題。亦有學者提出利用硫(S)元素摻雜來改善薄膜均勻性之辦法,此外,藉由S的添
不同微結構的氧化鎢。[49].................... 19圖2-3-3不同微結構之氧化鎢對硫化氫之響應值(a)及響應時間(b) 〇 [49].19圖2-3-4 ]28圖2-3-13氧化銅/二氧化錫對硫化氫的感測機制〇 [61]29圖2-3-14基板上3根氧化銦奈米線分別鍍上金、銀、鉑奈米顆粒之示意圖。[62]29圖 2-3-15
時會產生氮化物、放射性物汙染源及硫.イ化物等,使得溫室效應、大氣污染及酸雨等公害問題更加嚴重。在1974年人類的能源問題出現了變化,石油能源危機導致原油價格不斷上漲、人們對於 層,接著以450°C〜600CRTP硫化3〜6min,結果發現以CuGa/In的堆疊方式光電轉換效率最高為 11%。(8) C. Y. Su[22]等人以化學計量比(Cu
2.3 硒感光層的結構與特性2.3.1 硒的結構與特性硒(Se)為6A族的硫族(chalcogens)元素,屬於一種光導體,原子序為34,在 結 構 上 可 被分為 非 於以結晶硒為光導體的可見光感測器之光電特性影響,比起傳統作為光導體材料的矽(Si)與非晶硒(a-Se),結晶硒在可見光範圍具有更高的吸收係數,因此在縮小感光元件上的像素面積
示,氮化鎵的 25 meV、硫化鋅的37 meV,從表中可以得知氧化鋅的激子束縛能比其它半導體材料來的高,也因此氧化鋅的激子在室溫下其發光效率會比一般寬能隙半導體材料來得好 sapphire(0001)基板上,其中探討沉積溫度對於鋅奈米結構的影響。檢測結果顯示,在沉積溫度 100 °C 以下製備出的樣品其形貌為薄膜狀,隨著溫度提高至 175 °C 時,其形貌由
。 ··································· 115 圖 4.24:不同先驅物沉積的氧化鋅薄膜之薄膜品質,(a)醋酸鋅,(b)氯化鋅,(c)硝酸鋅,(d)硫酸鋅。實驗條件:Process C,氮氣電漿 275 V,45 I 誌謝 首先感謝我的指導教授徐振哲老師給予我學習及磨練的機會,碩士兩年來在老師細心指導下,得以在電漿工程這個領域漸漸的瞭解及成長。在研究過程中,老師常常訓練我
步,對於能源的使用日益增加,在天然能源方面,煤、石油、天然氣等能源的消耗無以數計,其中伴隨燃燒產生之廢氣諸如二氧化碳、氮氧化物(NOx)、硫氧化物(SOx)等除了對空氣產生污 ,由於光觸媒能有效處理氯苯有機物、氯酚化合物、氰化物與金屬離子等污染物質,對於空氣中所含的氮氧化物及硫氧化物等也具有清除的功效。光觸媒之超親水性具有自我清潔的效果,可以利用在
成出氧化亞銅奈米立方體11。他們發現奈米立方體的大小與表面活性劑的濃度有關,如圖1-2所示。2011年Michael H. Huang等人將氯化銅ヽ十二烷基硫酸鈉(SDS 常在10〇〜200°C下進行)、一步驟完成、容易控制產物的理想配比及結構形態....等26,且其製作出的奈米材料纯度高,但只適用於氧化物及少數硫化物的製備,不適用於III-V
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