Thesis 具超晶格結構之高效能氧化銦/氧化鎵 透明薄膜電晶體之特性研究 High Performance Transparent Thin Film Transistors 觸特性,發現當氧化銦通道電阻率約介於 4.4×104 Ω-cm 至 6.56×105 Ω-cm 之電晶體的特性最為穩定。對於閘極絕緣層而言,吾人以電漿輔助化學氣相沉積法於低
真空科技 十九卷三期 ( )■ 研究論文 ■共濺鍍氧化銦鋅透明導電薄膜熱穩定性之研究林俊興1、許加昇1、蔡富鈞2、劉代山1*1 國立虎尾科技大學光電與材料科技研究所 diode, 摘要本研究利用射頻磁控共濺鍍系統,同時濺鍍氧化銦錫及氧化鋅靶材,在室溫環境下製備具有不同鋅原子比例 (Zn / (Zn+In) at.%) 之氧化銦鋅透明導電薄膜,並
Dissertation 銦鎵系氧化物相變化記憶體與薄膜電晶體元件之研製 Fabrication and Characterization of Indium Gallium Oxide II致謝 於論文付梓之時,心中充滿了無數喜悅與感謝。本論文得以順利完成,首先要感謝的是我的指導老師彭隆瀚博士,您所付出的悉心指導,總讓我突破困難完成實驗,也讓我
義守大學 材料科學與工程學系 碩士論文 退火溫度於銅摻雜氧化銦薄膜之微結構與奈米機械性質研究 Effects of annealing 退火溫度於銅摻雜氧化銦薄膜之微結構與奈米機械性質研究 Effects of annealing temperatures on microstructural
@nfu.edu.tw一、前言隨著積體電路逐漸小型化的需求,銅金屬連線應用於 0.18 μm 製程以下之積體電路製程,具有降低 RC 延遲與抗電致遷移之優點[1]。因為銅與矽或二氧化矽接觸 後便會很快地擴散到基座,且產生深層能階與界面破壞的問題[ , ]。而解決銅的高擴散係數方面,也已經研究出各種阻礙層以阻擋銅金屬之擴散,銅製程主要考慮的接觸材料不外乎銅、矽
Thesis 氧化物半導體薄膜電晶體接觸電阻之研究 A Study of Contact Resistance for Oxide Semiconductor Thin-Film 中,定量研究了非晶態氧化銦鎵鋅與各種電極材料之間的接觸電阻。首先,以 TLM 測詴結構量測分析了非晶態氧化銦鎵鋅與鉬、鈦、銅以及氧化銦錫電極之間的特徵接觸電阻率,比較不同電極
國立暨南國際大學電機工程學系 碩士論文 垂直式氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究 Study on Vertical Indium-Gallium ii 論文名稱:垂直式氧化銦鎵鋅薄膜電晶體之研究 校院系:國立暨南國際大學科技學院電機工程學系 頁數:66 畢業時間:中華民國 108 年 1 月
致謝 能夠完成這篇論文,首先我要感謝我的指導教授吳忠幟博士,在兩年碩士期間指導我研究的方向,並且提供我一個絕佳的研究環境,使我能夠無後顧之憂的專注於研究,老師對於 ,使我能夠更有效率的完成實驗。感謝奕翔學長、玉堂學長、芫瑄學姐不定時規劃出遊與聚餐,在實驗之餘也能跟大家散心。感謝効伯、景翔、士權、懿麟,與你們討論課業獲益良多,很榮幸與你們一
真空科技 十九卷二期 ( )■ 研究論文 ■自我鈍化型銅銦合金薄膜之固溶特性及電性之研究方昭訓1,2*、謝馨儀21 國立虎尾科技大學材料科學與工程系 國立虎尾科 以濺鍍法沉積製備所需之薄膜,因此已被使用當成閘極掃描線 (gate line) 與源/汲極數據線 (data line) 之材料。鋁金屬雖具有表面自我鈍化能力,但因熔點較
Electrical Engineering & Computer Science National Taiwan University Master Thesis 可用於可撓性顯示器之 軟性氧化物半導體薄膜電晶體之研究 Study of Flexible Oxide Semiconductor Thin Film Transistors for
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