的多晶矽,因此仍以非晶矽作為薄膜電晶體材料。 因非晶矽材料含有大量孔隙及缺陷,為此一般可用以作成電子元件之非晶矽半導體,都必須摻入大量的氫原子,利用氫原子半徑很小,並且具 TFT-LCD 來得低,因此主要應用於小型裝置之顯示面板[7]。 圖 1-1 準分子雷射退火 1.3.3 單晶矽薄膜電晶體 單晶矽受限於單晶膜的成長費時、控制不易、以及技
電阻率之微晶矽薄膜。藉由X光粉末繞射儀及電子束穿透顯微鏡分析驗證微晶矽薄膜具有高結晶性和極薄的非晶矽孵化層。此外,透過系統性的介電質參數最佳化,如氬流量、射頻功率、腔體壓力及 低了約1伏特。此電漿技術將可以達到製造3D堆疊元件的願景。整合此高結晶性及低缺陷之主動層及介電層的堆疊式上閘極和下閘極之微晶矽薄膜電晶體,其載子遷移率分別達到 466和
及氧氣反應所致。為此,以氮化矽/氧化鉿之雙層鈍化材料做為背通道鈍化層則能成功的改善元件之穩定性,並維持元件的性能表現。 關鍵字:氧化亞錫、薄膜電晶體、鈍化層、偏壓穩定性 於通道層(閘極正偏壓下)之 (a)吸附以及 (b)解吸現象[23
顯著提升,也讓我們學習分工合作的精神,增加團隊向心力。另外,非常感謝吳志毅老師及蔡豐羽老師,百忙之中參加我的碩士班口試,並且對於研究內容給予許多寶貴意見。 在研究過 得博士學位,找到一份很好的工作!謝謝學長姐們,包括民昇、俊翔、家筠、金門、宗翰及維揚,尤其是民昇,將整個 SnO TFT 的製程傳授給我,在當兵之餘也時常關心我的狀況;謝謝
以雙(二乙基醯胺)矽烷輝光放電製備之有機無機混成 介電薄膜性質之研究及其於氧化鋅薄膜電晶體之應用 II 摘要 本研究針對雙二乙基醯胺矽烷(以氬氣作為載流氣體)與氧氣於電漿輔助化學氣相沉積系統中沉積之有機無機混成薄膜進行了薄膜製程條件及材料性質的研究,同時將
,故稱為電子飽和電流區,此區內的之離子電流 Ii 及電子電流 Ie 與電子溫度 Te 等的關係如下:[34,36] 渡區內的之離子電流 Ii 及電子電流 Ie 與電子溫度 Te 等的關係如下: Ie = Ie, sat.exp[e(V-Vp)/KTe] (3-3) Ii
驗壓力外還可玩得盡興。還要感謝偉智、龍江的幫助,碩士生涯除了實驗之外其他事情也幫忙許多,另外電晶體組我要特別感謝家合、徐雍、 彥名有段時間靠你們教學AFM以及幫忙拍AFM以 動層和絕緣層介面附近形成一通道。當通道行成,施加一偏壓於汲極端時,在累積層離域電子將從通道中被提取,因而在薄膜電晶體中產生汲及電流路徑。之後將進一步介紹線性區和飽和區。2
vacancies)及鋅間隙原子(interstitial zinc)之淺層受體能階(shallow donor levels)所提供[2, 3]。表1-1為ZnO之基本性質。 目前氧化鋅薄 2 圖1-1 氧化鋅三種結晶結構(a)岩鹽結構(b)立方晶系的閃鋅礦結構(c)六方纖鋅礦結構(灰球及黑球分別代表鋅與氧原子)[1] 表1-1 ZnO之基本性質
模具,並運用 UV 奈米壓印在多晶矽上製作出最小線寬/間距約為 100nm/200nm 的奈米多通道結構,成功製作出之奈米多通道薄膜電晶體。 此外藉由 HP-4156 及 IX ID-VGS(c)M2/2/1 之 ID-VGS(d) MX/2/1 之 gm(e)三 種 元 件 之ID-VGS 及 (f)C-V 特 性 圖 圖 4-22
取向會由 (111) 轉變成 (001),因而獲得垂直磁異向性之 FePt 合金薄膜,其 Hc⊥ 值、飽和磁化量 (Ms) 及垂直方向角形比 (S⊥) 分別為 548.9 kA 觀察表面形貌、XRD 分析晶體結構,探討製程 N2 含量及退火溫度對 Cu(CoN) 合金薄膜之特性影響。結果顯示 Cu92Co2.5N5.5 與
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