本研究主要探討以非平衡磁控濺射鍍著於(100)矽基材上之氮化鋯薄膜,在氮 氫混合氣(N2/H2=9)下退火後之劣化現象。退火溫度自300至1200℃,由X光繞射分析結果顯示,在700℃以上,會生成單斜晶系(monoclinic)的氧化鋯。另以掃描式電子顯微鏡觀察表面形貌,發現在400℃以上,會開始産生許多大小約5-10μm之圖形凸狀物變得更緻密。在低溫形成
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