蝕刻時間對矽奈米線和砷化鎵奈米線長度和形態的影響。 在第四章單晶排列整齊的矽奈米線之混成太陽能電池中,利用轉移矽奈米線的方法與共軛高分子太陽能電池做整合,並探討轉移前 在600℃以下保持穩定存在,能承受非氧化性的酸侵蝕,能作成磊晶片,它為高速且優異之光電材料,具有高吸收係數、高飽和電子速率及高電子移動率,其能隙為直接能隙(direct
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