嚴謹的教學風格給予了我寬廣的思考空間,老師也總是能適時的指引我方向,並不厭其煩的為我研究上遭遇的問題解惑,使我的研究之路走得更加順利。此外,我也要特別感謝家霖學長在這兩年在實 長,在百般忙碌的情況下還是很有耐心的協助我各項實驗和考核事宜。 在即將離開台大之際,我感觸最深也最無法忘記的是 306A 像家一樣充滿溫暖、歡樂的氛圍,我深感幸運自
教授:陳貞光 博士 關鍵字: 氧化鋁鋅、反應磁控濺鍍、氧氣流量、載子遷移率 本研究以反應磁控濺鍍法在玻璃基板上,利用純鋁與純鋅與氧氣反應沉積掺鋁氧化鋅(AZO) 透 膜的結構及性質之影響。實驗結果顯示在不同濺鍍功率下薄膜皆呈現{002}的優選方向,隨著濺鍍功率逐步提高至 150 W 時,鋁之摻雜傾向形成非晶型態的氧化鋁,造成薄膜內與氧親和
4.18在大氣氣氛下退火之氧化鋅薄膜SEM圖………………………………….47 圖 4.19 在氬氣氣氛下退火之氧化鋅薄膜 SEM 圖…………………………………48 圖 4.20 在 氧氣氣氛下退火之氧化鋅薄膜 SEM 圖…………………………………48 圖 4.21 氧化鋅薄膜在不同氣氛下退火的 PL 比較圖………………………………….49 圖 4.22
多麼美好的時光,也祝福大家在未來能夠順順利利。另外要感謝亞聯的司機,每周有兩天在台北新竹之間來回,全靠司機安全且快速的將我們送達目的地。 最後,還是要感謝養育我、愛護我、鼓 III 摘要 光偵測器已廣泛運用在影像感測、光通訊、環境監控、太空偵測、光譜儀、及生醫感測等領域。然而光偵測器為操作偏壓大、可偵測之光譜範圍限制與弱光偵測能力不
i摘要 本文利用原子層沉積技術在玻璃基材上成長氧化鋅(ZnO)薄膜,探討其電性及光學性質。本論文分為三個不同主題,第一部份為氧化鋅作為透明導電膜之研究 4.3.2 在 ALD 成長飽和溫度外成長主要層……………………………………45 4.4 有無緩衝層下所成長的主要層之比較……………………………………..48 4.5
電氧化物,如:氧化銦錫,因其材料內之銦元素屬於稀有元素,且價格昂貴,同時氧化銦錫在高溫操作下並不穩定;另一方面目前藍光LED半導體製程均使用ITO做為透明電極,但依舊存在許多 。而在這之中對我影響最深刻,教會我許多寶貴知識與做人做事的道理的人,除了我的父母之外,絕對就是我最尊敬的指導教授 劉維昇老師。如果再讓我選擇一次,我依然會毫不猶豫地選擇:元智大
理下製作成透明 p-n 異質接面二極體,分別在商用 ITO 玻璃基板上及鍍有 ITO 之 PET 基板上製作以下四種結構:n⁺AZO/p-CuAlO2/ITO,n⁺AZO/n 厚度,研究不同厚度對二極體特性及 UV 光響應度之影響。 在 n⁺AZO/p-CuAlO2/ITO 異質接面二極體方面,分別調整 p 層及 n⁺厚度為100nm
0.6 wt.%)使用直流(DC)磁控濺鍍在玻璃基板表面沉積 GZO 薄膜。藉由改變濺鍍條件中之濺鍍凾率、工作壓力及基板溫度的參數,探討製程參數對於沉積 GZO 薄膜之光學及導電 性質的影響。藉由其分析結果定義出最佳製程條件之 GZO 透明導電膜。最後在最佳製程條件下,經由 3 wt.%的靶材的濺鍍後去比較光電特性。分析則採用 X-ray 去量測
度之關係圖[39]...... 17 圖 2.5 在噴霧熱解法中單一液滴受熱分解後生成產物之可能機制[44] ............... 20 圖 2.6 在噴霧熱解法依 是眾多科學家與工程師所追求的目標之一,其中奈米薄膜由於其光、電、熱、磁、化學與機械等性質的多樣性,依據不同的用途可廣泛應用在不同的需求上,而其中透明導電膜
獨立思考,讓我獨立找尋答案,並且提供良好又舒適的環境讓我進行實驗,還付出很多時間親身帶我作實驗,除此之外更是我人生規劃的心靈導師。在此也感謝我的口詴委員陳克紹老師、呂宗昕老師 ,沒有你的陪伴從大學到碩士的生活不會過得如此溫暖。在這兩年的研究生活中,我學到許多事,不僅僅是課業以及專業知識,實驗以及實務的技巧更是進步不少,與人相處之道也更加成熟,相信在
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