,但其體胚誘導率僅有10.71% ;至於8 mg!1 及 16 mg!1 2 ,4-D 則會增加培植體的褐化率,甚少形成體胚。癒合組織的形成,以子菜基部為培植體之癒合組 及 16 mglI2 ,4-D 的 MS 培養基中 45 天,結果顯示上胚芽之體胚誘導率及體胚形成數均高於子葉基部培植體﹒就 2 ,4-D 濃度而言,上胚芽培養於添加 4
度為 1500 lux 之白冷光照環境繼續培養, 45 天後調查芽體、體胚及癒合組織之誘導狀況,芽體增撞或根系的生長情形。四、統計分析本試驗所調查之資料與數據,若屬於二 Thidiazuron 促進赤按優良營養系葉片癒合組織之植株再生。臺灣林業科學的 (1) : 8 卜"。4 葉茂生、賴媛敏。1995 。花生未熟胚培養之研究E不同胚齡及種子大小之未熟胚培養
-2-花生的齡子房柄的體外培養 E 添加酪素水解物的影響及其與植物生長調節劑之立互效應(1987)曾建識利用子房柄組織作為前胚的滋養組織(nurse ti自ue)進行二階 . Kinetin 及抗壞血酸對英果形成及胚發育之效果。中華農藝11 : 68-83 • 4 許坤明、葉茂生。1988 。大豆品種問幼苗不同部位癒合組織分化能力的研究。農林學報 37(2
Benzazepine 具苯及 azepine 環,許多含有此種結構的化合物,會與生物基因胺受體作用並存在各種不同的藥效。1-(2-硝基苯基)-4,5-二氫-1H-2-benzazepine (b 苯 基 )-1,2,4,5- 四 氫 -3H-2-benz azepine 二氯鉑鉑錯合物,作為抗腫瘤藥。由於 Bischler-Napieralski 路徑環化的限制,以及
本論文探討對角方塊都是零的2×2方塊矩陣的數值域。我們證明當B是k×k(k>2)矩陣滿足B*B是k-1維的單位矩陣和一維0矩陣的直和,則此2×2方塊矩陣其數值域會是兩個內切在[-1,1]×[-1,1]正方形裡的橢圓的凸包。另一方面,只要B滿足∥B∥=1,我們也對此2×2方塊矩陣其數值域的邊界給出刻劃。此外,對於4階的2×2方塊矩陣 ,我們也給出其數值域會是兩個內切在[-1,1]×[-1,1]正方形裡橢圓的凸包的充分必要條件。
文則是直接採用分配,利用α方程式和β方程式及電腦演算的方式,直到符合條件停止,即可得到精確的樣本數大小,而並非先給定樣本數之後再針對公式去估算檢定力。文中運用了在2×2×2列聯表是會面臨龐大計算過程而浪費時間的問題,而且傳統上以討論2維度下的樣本數模擬為主。因此本文想提供一個3維度下的演算法來避免這些問題且求出較符合條件的樣本數。本文提出的方法是不需要透在臨床實驗上,如何取得有效的樣本數是我們所好奇的。在研究上,以往的樣本數計算多以近似法逼近,再帶入樣本數公式計算求得樣本數大小,但是這樣的方法容易產生較大的誤差,在傳統方法上則過近似值,藉由電腦演算的方式來解決龐大計算過程的問題,又可快速達到精準的樣本數大小。 在過去文獻中,是採用趨近法去計算檢定力(power),且步驟是先給定樣本數後去估計檢定力;本的精確度檢定,以電腦演算的方式來計算臨床上所需的樣本數,使得療效可以提高有效性卻不浪費資源。
received Sep. 22, 2004, and accepted Mar. 1, 2005) 茴香醚/2-丙醇、2-己醇、2-庚醇及 2-辛醇雙成份 混合系統之密度及黏度量測 醇、2-庚醇及 2-辛醇等組成之極性雙成份混合物系統之密度及黏度量測,量測範圍為常壓,溫度在 303.15 K 至 323.15 K。各系統在定溫下之過剩莫耳體積、及黏度偏差
和。Ni2+、Mn2+、Sr2+ 之 飽 和 吸 附量 大 約 為 2 mmol/100 g;Cr3+ 之 飽 和 吸附 量 約 為 Ni2+、Mn2+ 及 Sr2+ 之 二 (0.01M)溶液,Ni2+、Mn2+、Sr2+ 之吸附率約為2%,Cr3+為4%,Cr3+吸附率高應係其價數較高。(2)合成方沸石對Ni2+、Mn2+、Cr3+及Sr2+離子之吸
Structures of 2-Dimethylamino-4-phenyl-l,3,2-dioxaphosphorinane-2-oxides Yun-Er Shih*', Fong , Taipei, Taiwan 107, R.O. C. Both cis- and trans isomers of 2-dimethylamino-4-phenyl-1 ,3,2
: 1.8μm,表面粗糙度: 5.721nm。應用了微機電技術的高精度優點,並克服在組裝上須使用透鏡光纖之高成本、高錯位敏感度之缺點。相較於傳統2×2稜鏡反射式光開關,將減少對光困難度及使結本論文之研究目的在於設計製造出小尺寸、結構簡單與具高可靠度之微/奈米機械式光開關,包含了1×2、1×4與2×2三種重要型式之光開關元件。本研究採用了精密定位技術與微機電製程技術』步驟將兩輸出埠之插入損耗及其差值,同時尋光對位至<1dB與<0.1dB以下。經實驗結果證明,可在383秒內將一1×2光開關之兩輸出埠尋光對位完成,插入損耗值分別為0.47dB與相結合,應用了微機電技術高精度之優點,製作出精密的光纖夾持器與超薄反射鏡,並且節省了高昂的全微機電(all MEMS-based)式製程開發費用與設備成本。此外,利用幾何縮小定位誤差原理來達到微/奈米定位精度等級,以完成光開關元件之製作。 在1×2光開關方面,以『光纖直接對位』為光路傳輸架構,以微機電製程製作出光纖夾持器來精確地夾持兩根輸出端光纖。運用了為5ms,經切換10,000次後其插入損耗之變化值為ch1: 0.04dB、ch2: 0.02dB,再持續切換1,000,000次後取值100次之插入損耗的變化值為ch1: 0.024dB、ch2: 0.006dB。元件外觀尺寸為7.5×16×20mm 。 在1×4光關關方面,藉由已研發成功之1×2光開關製程技術與光路傳輸架構,應用兩繼電致動器來組成兩切換方向相互垂直之撥切機構,以邏輯電路控制來驅動兩繼電致動器作動以達到1×4光路切換之目的。首先,以微機電製程製作出光纖夾持器來精確地夾持四根輸出端光纖,並運用了兩階段幾何縮小定位誤差原理: 0.61dB、ch4: 0.62dB(光路反射狀態時)。 另外,為突破光開關元件自動化量產之產業發展瓶頸,本論文提出一套整合了CCD影像處理模組,壓電平台微動模組及光損耗檢測模組,以LabVIEW軟體自行撰寫之『自動尋光對位程式』來進行輸出埠間之尋光對位,應用於我們設計之1×2光開關上。首先,以CCD影像處理技術分析計算出輸入端光纖與輸出端ch1光纖之錯位量,並以壓電微兩階段幾何縮小定位誤差原理,將輸入端光纖的切換定位誤差縮小至0.18μm以下。經實驗結果證明,光開關最佳插入損耗為ch1:0.8dB、ch2:1.4dB,串音≦80dB,切換時間,將輸入端光纖的切換定位誤差縮小至0.27μm以下。經實驗結果證明,最佳插入損耗為:ch1: 0.68dB、ch2: 1.49dB、ch3: 0.71dB、ch4: 0.97dB,最快切換時間為5ms,為測試長時間穩定度,再撥切10,000次後之插入損耗值分別為ch1: 1.67dB、ch2: 1.63dB、ch3: 0.75 dB、ch4: 0.98dB,元件外觀尺寸為20×20×25mm 。 在2×2光開關方面,設計上採四根光準直器呈90°相互垂直排列在同一平面上,以微機電技術製作出超薄雙面反射鏡當作光訊號反射元件,厚度動平台驅動輸入端光纖移動此錯位量來初步對準輸出端光纖(ch1)。運用了二次估計法與爬坡演算法分別將兩輸出埠尋光對位至<1dB以下。接下來,利用了『動態切換對位』與『平衡切換對位0.51dB,差值為0.04dB,順利完成研究目標,該技術可成功克服目前仍大量使用人工尋光對位之窘境與突破光通訊“最後一哩”之產業發展瓶頸。
為了持續優化網站功能與使用者體驗,本網站將Cookies分析技術用於網站營運、分析和個人化服務之目的。
若您繼續瀏覽本網站,即表示您同意本網站使用Cookies。