,LED 亮度提昇有兩種途徑,一為提高發光效率,二為增加功率。然而 LED 整體之發光效能主要受到二極體晶片、構裝形式與封裝材料所左右,隨著磊晶技術的進步,二極體晶片內部發光效率已 22 矽樹脂本身有良好的光學透光性及高熱安定性,但有材料成本高、折射率偏低、黏著性較差易脫層等缺點。本實驗擬針對矽樹脂上述之問題,開發出高折射率奈米粒子混
極體,同樣利用軟性微影術,在封裝結構的表面,製作出最有利於光取出效率之結構。實驗由光學模擬開始,試圖可以找出具有較好出光效率之結構,接著進行實驗證實模擬結果。第五章則為結論 很明顯的改善有機太陽能電池的元件效能。 在第二部份的論文中,則針對螢光粉型白光發光二極體之出光效率作改善。在此部分的實驗中,同樣利用軟性微影技術,在螢光粉封裝層表面
光源之中,有著相當複雜的機構與材料,若無法在設計與製程中能清楚而有效的掌握,並做好環測與失效分析,那麼 LED 光源的良率與燈具的使用壽命都將是很大的負擔,會將目前在發光效 機構模型,再使用 CFD-ACE 設定機邊界條件、材質特性以及模型之初始條件等等,接著便可開始模擬 LED 模型溫度變化情形,本實驗模擬建構只考慮熱傳。此外,實際上晶片外部有
VIII 第四章 利用奈米壓印與鍍膜技術改善螢光轉換型發光二極體光萃取效率之研究 有SiO2微透鏡結構之實驗流程圖與其結果 [37] .... 20 圖 2-20 螢光轉換型白光 LED 光萃取效率損耗示意圖
25 圖 2- 6、表面黏著型式之發光二極體上視圖 圖 2- 7、高功率封裝型式之發光二極體示意圖 圖 2- 8、Lumileds .......................................................................... 24 圖 2- 6、表面黏著型式之發光二極體上視圖
型的I-V 及 L-I 圖形,整個金氧半結構元件呈現二極體整流行為。使用 RTO製作之元件結果,外部量子效應約為 10-6,提升傳統矽發光約一個等級,而量子效率提升之原因 (1.08eV)附近,較矽晶體在室溫的帶溝(bandgap)1.12eV 稍低,元件頻譜測量出來的結果無論放光效率的高低,其頻譜圖形形狀都相同,並且隨著通入電流增加總放光強度也隨之增強
[2]。國際上近年來白光LED的發光效率已逐步取代傳統的白熾燈泡,未來LED將走入每個人的生活,成為最普遍廣泛使用的光源。由LED發光原理簡單敘述在元件之中的電極注入的電子以及 18 圖2-11 Osram提升光萃取的方式[42] (3)微週期性陣列結構 傳統的一般矩形晶片[43]設計並未在表面或是內部製備微型結構,因此一般矩形晶片光
上述討論之結構,還有許多團隊提出不一樣的重複結構或週期性結構, 希望能增加光萃取效率。例如 Lee et al. 利用不同圖形的光阻,以乾式蝕刻於 GaN表面製作各種圖形,如 單位),可得圖 3-8 之效率增益示意圖。由圖中可以發現反角錐週期性結構和角錐週期性結構類似,無論其週期、深度通常都對光萃取效率有幫助,但在次波長結構的某些參數組合,會形成一
LED上之發展,便著重於光取出率的提昇,將光子晶體應用於LED結構上,留下一個晶格缺陷,將使得光朝所設定缺陷方向前進,降低能量消耗,使得LED亮度提升。[10] 目前將二維光子 法在於LED表面製作光子晶體,由於光子晶體之設計,降低全反射之可能性,並改變LED結構光場之分布進而提昇光取出效率。[26] (2)LED元件發光光形變化 因光子晶體結構
時黏滯力下降的關係無法在塗上矽膠時做出透鏡,因此以做好的塑膠透鏡加於矽膠之上以提升光取出率且防止矽膠表面受到破壞,這點與過去在子彈型封裝結構上射出成型的透鏡製程上有所差異 、LED 混光效果與輻射場形等問題,以決定好 LED 的黏著位置及擺設方式之後放入烘箱將黏著劑烤乾。對於垂直結構 LED 的封裝而言,需加上一層表面鍍金的載板使得下方的電極得以延伸
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