術部 研究員摘要:新興相變化記憶體製程朝向多成分薄膜以及縱深填孔技術發展,亟需高深寬比多層數之保形披覆先進奈米薄膜,以因應高容量、高密度電子元件之需求。現有之高速高容量晶片使 用物理氣相沉積法沉積薄膜,遭遇高深寬比 (10:1)、多成分精準度及鍍膜均勻性困難。然而,綜觀薄膜沉積技術,唯有原子層沉積可生產高度保形膜層。本文將介紹工研院機械所專利之低溫
4研發訊息利用矽酸鉿薄膜製備之低溫複晶矽薄膜電晶體奈米製造/元件技術組 楊明瑞、簡昭欣相較於非晶矽薄膜電晶體,低溫複晶矽薄膜電晶體具有較高的載子遷移率、較大的驅動 猛進,使得面板上的電路系統也隨之不斷更新改良,使得追求將系統電路整合於基板上的目標不再遙不可及,而隨著操作電壓的下降和元件尺寸的微縮,能夠提供足夠驅動電流的高效能低溫複晶矽
physical and chemical properties of the related tungsten nitride, and confirm its actual 提升光學與電學性質。[1][2][3] 除上述提及的石墨烯或 TMDs 之外,近年來科學家開始研究新型的二維材料其中過渡金屬碳/氮化物 (MXenes) 期以高熔點、硬度、電
58科儀新知 210 期 106.3真空製程在透明氧化物薄膜的開發應用-複合介電層/金屬層堆疊作為透明導電電極之應用Vacuum Process in composite stacking layers technology. Through the physical vapor deposition process, the
, TMNs),自從 2011 年科學家發現二維 Ti3C2 這種 TMC 材料開始,目前已經合成出超過 30 多種不同組成之 MXenes 材料,相較於 TMDCs,MXenes 有 更優異的導電度、光催化特性、高儲能特性與能量轉換效率等突出的物理與化學性質,然而二維碳化物在研究發展上目前已經趨近飽和,相較之下,二維氮化物成為一種更新穎且令研究家感到好奇之
Engineering College of Engineering National Taiwan University Master Thesis 以矽化鎳基板成長石墨烯之研究 doi:10.6342/NTU201601844 ii 中文摘要 石墨烯為碳原子以 sp2 鍵結所構成之六角蜂巢狀結構所組成的二維平面材料,由於其優異的電
structures and physical meaning of internal electrons more reliable. The second part of the F.S. Model理論.............44 圖4-9(a) 原子沉積法-氮化鉭阻抗層之銅薄膜-曲線.....................46 圖4-9(b) 物理
有金屬性或是半導體性的電子傳導特性。因為多壁奈米碳管其石墨層與層之間的電子交互作用,會使其整體電子傳導特性表現為金屬性,所以製作奈米碳管場效電晶體時,必須使用半導體性的單 壁奈米碳管。基於上述理由,再加上奈米碳管旋度未能控制此兩個原因,所以單壁奈米碳管的合成,是製作奈米碳管場效電晶體前,必須先具備的製程能力之一。在本研究中,我們展示利用冷壁
電流開關比 (on/off current ratio) 等特性,被視為極具潛力成為下一世代電晶體尺寸微縮的候選材料之一。單層過渡金屬二硫族化物除了透過膠帶法剝離單晶塊材 ,形成垂直異質結構,如圖 1 a 所示。二維材料層與層之間沒有額外的鍵結,因此在堆疊成垂直異質結構
Engineering National Taiwan University Master Thesis 反應氣氛對化學氣相沉積法於銅基板上 成長石墨烯之影響 Influence of i 誌謝 張懸曾說:「深深的話要淺淺地說」。 那就淺淺地說吧,一直以來都覺得有幸走進台灣的第一學府,彷彿還只是昨日之事,時光荏苒,七年的歲月就像是白
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