續前述之基礎研究,本論文於其後引入超晶格通道概念於薄膜電晶體製作中,以場通道結構設計來提升前述元件之操作特性。在室溫下,具此結構的氧化銦/氧化鎵薄膜電晶體具有相當理想之操作特 (metal oxides)引起了大家的關注,並投入心血研究以此種材料製作之薄膜電晶體。不同的金屬氧化物,其特性可能就南轅北轍,故可廣泛應用在絕緣物、半導體、導電膜,甚至是超導體上
氧化物薄膜電晶體具有非晶態特性下,仍能保有高載子移動率;另外,氧化物半導體在可見光區下大多為透明,可用於提升平面顯示器之開口率;顯示出氧化物半導體具有高度取代非晶矽的潛力;最 方面之研究[5]。之後,各種新型軟性基板不斷地被開發出,到了 1990 年代中期,許多研究者開始嘗試將非晶矽薄膜電晶體,製做於薄的軟性玻璃[6],不銹鋼金屬箔[7],以及塑
晶體。為同時顧及成本與靈敏度,因此選擇採用多晶矽薄膜電晶體。接下來就要介紹多晶矽薄膜電晶體與 MOSFET 在電性上的不同之處。 不同於前面一節介紹的單晶矽 的應用需求,已有許多研究在研發低溫下的多晶矽製程,大多是利用雷射的高能量來降低多晶矽結晶所需的高溫[30]。 3.3 多晶矽薄膜電晶體的缺陷與電性 前面提到矽由於結晶不
i大氣電漿技術沉積二氧化矽 薄膜之機械性質探討 摘要 本文係利用噴射式大氣電漿鍍膜技術,電漿氣體為氮氣並在電源以功率 500 W、頻率 20 kHz 及室 其特殊的效能。應用於環保方面,電漿火炬可以處理有害廢棄物中可燃性物質及非燃性物質於熔融爐內同時進行氣化減容和岩化處理,以獲得高品質之熔岩固化體。甚至在醫學生技方面上,電漿還
銦與氧化鎵材料特性,同時於相變化記憶體與薄膜電晶體元件的製作與量測過程中學習許多半導體元件的分析知識,並獲致不錯的成果,然氧化物半導體屬於新興起的研究領域,尚待後續研究者繼 取代傳統非晶矽薄膜電晶體的重要半導體材料。同時低溫沈積之氧化銦鋅鎵通道具有高戴子遷移率,可沉積於需低溫製程的可撓式塑膠基板上;又由於其能隙寬,於可見光頻段具有高穿透率,若配
1 第一章 研究背景 當第一顆非晶矽薄膜電體(a-Si:H TFT, Thin-Film Transistor)在1979 年被 LeComber 製作做出來後[2],並 ) 成膜的過程是一直不斷的經由吸附作用、表面擴散作用以及吸解作用,直到成長出所需之薄膜厚度為止,簡單說就是在 a-Si 膜成長和電漿處理的兩程序相互交替下而完成的。在電漿處理期間
。 3.3.3 ZTO 之成分及旋塗次數對 TFT 特性之效應 圖 3. 11 為不同成分的 ZTO 薄膜電晶體,在兩種製程下的輸出特性曲線,旋轉塗佈的次數都是 4 次。表 3.3 為其特性一覽表。圖 3. 12 旋轉塗佈不同成分的 ZTO 薄膜 4 次的薄膜電晶體,其載子遷移率對 ZTO 成分作圖。使用 Type S 製程,且鋅錫的原子比在 1:1
5 1.3 研究方法簡介 由於薄膜電晶體液晶顯示器面板所擷取之影像具有不均一性之亮度變化,所以針對這個問題。本研究利用離散餘弦轉換將影像資訊轉換至頻率域。在空間影像 轉換。在不需要標準參考影像的條件下,即可對影像進行濾波處理。擷取背景之變化趨勢,以去除薄膜電晶體液晶顯示器所具有的不均勻背景。便於以單純的自動閥值選取來有效地執行瑕疵分割之動
。 4-1 不同鎳膜厚度對於矽晶表面光電特性之研究 首先對於不同鎳膜厚度,形成鎳矽化合物對於光學反射率的探討,及研究其表面結構和組成元素。將矽(100)基板分別依序蒸鍍 62 4-2 不同熱燒結溫度對於矽晶表面光電特性之研究 本章節將接續前章節的結論,以 30nm 鎳膜層厚度為製程參數之一。在此章將經由改變不同熱燒結溫度,分別為
1980 年就有開始研究,光電轉換效率也達到研發型的 16.5%;染料與有機型太陽電池則仍在起步的階段,光電轉換效率較有爭議;最後是非晶矽薄膜型太陽電池,是在 1976 年就開始研 % ) / ( 15% + 9% ) = 71% 是要消耗電力。 基於結構與製程特性,薄膜型條狀電池與模組製程是相整合的,也就是說,在薄膜電池完成時模組也一併完成,這與矽晶太陽能是不同的。其業
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