要… 氮化鎵系列之發光二極體為近年來各界之發展重點,其相關之產品與應用早已廣泛被使用於各個領域之中。本文即針對近年來奈米科技應用於覆晶式及薄膜式發光二極體發光效率之提升作一 . Bottom sapphire patterning 6. Flip-chip bonding 圖 1 具奈米結構覆晶式發光二極體之製程流程圖 圖 2 為覆晶發光二極體中三重
式封裝(Wire Bond)、覆晶式封裝(Flip Chip)以及垂直式結構(Vertical LED)。 因傳統的打線式封裝之電極位於發光層正上方,覆蓋部分晶粒出光區域 發光二極體之結構,最後使用晶圓鍵合的方式,利用矽基板與藍寶石基板之間熱膨脹係數的差異,以機械式剝離技術將藍寶石基板移除,並置換成導電、導熱性較高之矽基板,達成製作高功率垂直式
131423243441第四章 氮化鎵基板之覆晶式發光二極體 ................554.1 氮化鎵基板介紹 .....................554.2 氮化鎵基板之覆晶式LED製程介紹.............574.3 氮化鎵基板之覆晶式LED光電特性分析...........59第五章 結論
℃的高溫下進行化學濕式蝕刻,並使用抗蝕刻的二氧化矽做為蝕刻阻擋層,藉由化學濕式蝕刻具有等向性蝕刻的特性,製備出具有底切形狀之發光二極體,利用晶粒底切形狀的改變來提升現有發光二 極體的量子效率。 待晶粒底切幾何結構發光二極體製備完成後,以掃描式電子顯微鏡檢測其外觀,再利用光束角做光型態分析,最後再以積分球量測底切幾何結構對電性及光性之影響。由實驗結
高功率發光二極體之高熱導複合式鑽石固晶材料學生:陳富鑫指導教授:吳耀銓 教授國立交通大學工學院半導體材料與製程設備學程摘 要本研究主要提出利用錫膏與鑽石混合做為複合式 2.3.3 封裝層級的熱管理..............27三、 實驗方法......................293.1 製作單層高導熱係數之人工鑽石複合式固晶材料
問題 。因此 ,眾多團隊提出各種方法以期改善元件之效能 ,包含製作覆晶式(flip-chip)發光二極體 ,或是在表面上製作特殊結構 、光子晶體 、表面粗糙化等技術 ,來提 Fig. 4.17: p型接觸電極完成晶片結構圖13. 光學微影定義n型電極與乾式蝕刻由於n型接觸電極在平坦化製程之前已蒸鍍於晶片表面 ,會被塗佈式玻璃所包覆 ,因此需要
:(1) 雖然改善了 SiO2 保護層的沈積參數,減少了蝕刻傷害的機會,但由於我們所使用的樣品磊晶表面為 pits 霧面,因此仍有部分的表面覆蓋均勻性不佳,導致在濕式蝕刻時 磊晶品質,藉此來最佳化蝕刻的時間,以避免造成過度蝕刻,進而提高生產量和元件的可靠度,藉由比較使用側向濕蝕刻與否之光學以及電子特性,發現使用側向濕蝕刻有較好的元件特性表現且不會
元件光粹取率之相關技術研究,目前已有相當多的方式,如表面粗化(Surface roughness)[4-6]、覆晶式元件(Flip-Chip)[7-8]、圖形化基板 紹,且考量實驗結果需避免使用不同的氮化鎵發光二極體磊晶薄膜而造成誤差,同時依據製備過程所使用的光罩製程道數,進行光罩設計,整合實驗設計之各種不同電極圖形配置方式於同一層鎳/金
昇藍光LED 外部量子效益的方式也同樣可應用於 UVLED。利用覆晶封裝技術並搭配銀(Ag)作為 p-GaN 覆蓋層結構中之反射層已可提昇外部量子效率達原本的 1.7 倍 ,覆晶技術的方式則是由電子束蒸鍍的方式長在電流散佈層的上方,可做為電流散佈層的反射鏡使用,使得自由光子藉由反射的方式朝向 p-GaN 覆蓋層結構基底方向的光子能夠加強利用
題,使得元件能在更高電流下操作。研究分為兩個主題,主題一是利用預先電鍍的方式製作高散熱複合基板,首先在矽晶圓上製作規則排列的凹槽陣列,作為複合基板之框架,接著填入人造鑽石 列,再用濕蝕刻(BOE)將二氧化矽蝕刻出定義之圖形。c.利用感應耦合式電漿(ICP )機台,蝕刻矽晶圓至目標深度200 ^m,並移除蝕刻遮蔽層,製作出具有凹凸規則排列之矽
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