會被收集到,因此反射率較高。在 INC 上鍍上金膜結構由於金膜的反射因此反射率較只有 INC 結構的試片高,但在可見光波段的區域反射率增加不大,不會大幅影響光偵測的效果 INC)之光電流與光電壓對光源強度呈現幾乎線性的關係。如圖 4-8,在紫外光照射時 INC+Au 元件的效益並不高,其光電壓與電流比未鍍上金膜的 INC元件低。原因如上一節所述為
matrix, AM)兩種驅動方式,其中主動式矩陣以薄膜電晶體(Thin-film transistor, TFT)來控制單一畫素,因此可提供較高之畫素。由於驅動電路配置於基板上,且較 (Polycrystalline)矽以及非晶(Amorphous)矽幾種,目前以單晶矽太陽能電池效率 25.6%為最高。(2) 薄膜電池,例如二元化合物之砷化鎵(GaAs)電池,效率可達 28.8%為最高
波長 570nm 下高反射的光學薄膜以降低重新入射回藍光 LED 或者側壁所造成的損耗。若同時考慮光萃取效率以及藍光黃光之間的螢光轉換效率,具有最佳黃光出光的結構搭配底部光學 ................................................ 109 圖 4-34 PC 板上製作三層藍光高穿透、黃光高反射光學薄膜量測光譜 ............. 109 圖4-35 週期為400nm反圓錐結構AFM圖 (a) 上視圖
3 光OLED之下方使用金屬或合金材料作為陽極,上方則使用透明導電膜作為陰極,往下的光將被底部金屬陽極反射再從透明陰極反射出去,不受TFT遮蔽,開口率較高,且因減少光 陽能電池運用高品質單晶矽基板,不僅可改善和 a-Si 結合之電荷損失,光吸收率低的單結晶矽和透明度高的導電膜層結合,可降低光吸收所造成的損失,此外, HIT 太陽能電池也進
變是本研究主要提升量子效率的方法。 由於一般傳統的濕式蝕刻無法對氮化鎵進行有效蝕刻,因此本研究以高溫濕式蝕刻方式,利用硫酸與磷酸兩種酸性混合液體調製所需之蝕刻溶液,在 320 ℃的高溫下進行化學濕式蝕刻,並使用抗蝕刻的二氧化矽做為蝕刻阻擋層,藉由化學濕式蝕刻具有等向性蝕刻的特性,製備出具有底切形狀之發光二極體,利用晶粒底切形狀的改變來提升現有發光二
格反射鏡、透明基板、表面粗糙化、元件形狀化、光 子 晶 體 、 薄 膜(thin-film)技術以及全方向反射鏡(ODR)等等。資料來源:IEEE J. Sel 配,導致差排密度過高,磊晶品質不好,造成非輻射中心太多,而發光效率不佳;或是間接能隙的問題導致電子電洞不易復合,所以衍生出很多問題。後來 AlGaInP 材料被發現,當組成成
〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃13 3.1 以反射式高能電子繞射監控氮化鎵表面的重構現象〃〃〃〃〃〃〃〃13 3.2 不同基板溫度對於摻雜氯的硒化鋅薄膜的特性〃〃〃〃〃〃〃〃〃〃14 3.3 摻雜源不同溫 14 者完全不一樣的結構增加成長成高發光品質薄膜的難度。 3.2 不同基板溫度對於摻雜氯的硒化鋅薄膜的特性 圖3.4是不同基板溫度對於摻雜氯的硒化鋅薄膜在室溫
光源,搭配導光板與光學膜片的使用達到提供高亮度、高均勻性的面光源之使用目的,然而隨著環保意識抬頭,含有汞元素的 CCFL 燈管對環境可能造成的污染問題已逐漸備受重視,歐盟已 XI圖 目 錄 圖 1-1 高亮度 LED 照明市場規模推估 ..................................................2
使用 AlInGaP 材料發展高亮度紅光與琥珀色 LED。1986 年 Amano 等人利用 MOCVD 磊晶技術低溫成膜 AlN 緩衝層,成功地成長出氮化鎵銦(GaN) 薄 缺陷所形成的施體濃度,也因此減少到 1×1015cm-3,電子移動率則提高了一個次級(10 倍)以上,因此低溫 Al 緩衝層的加入也改善了 GaN 薄膜的電特性。1989年
化率與電壓沒有呈現一定比例關係居多。綜觀所擬合出之介電層各項結果,可知此介電層擁有高折射率以及不易透光之高吸收率的類金屬特性。 量測 Al 元素不同鋁膜厚度沉基於有機層上之 XPS 圖..................3 圖 1.3 對陰極層(Al)通電流前後 AFM 圖
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