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IP:216.73.216.117

摘要


拓樸狄拉克半金屬由於它奇特的物理特性,例如:線性能帶色散和表面態,甚至能產生自旋電流,近年來對量子傳輸、量子計算與自旋電子學等主題,已經成為前沿且重要的凝態物理主題。其中能利用分子束磊晶(Molecular beam epitaxy, MBE)法,長出超高電子遷移率且化學性質穩定的狄拉克半金屬砷化鎘至今少有,它被視為下一個世代的新穎電子元件(拓撲電子學)之開端基石。本文將以超高遷移率的狄拉克半金屬砷化鎘與製作狄拉克半金屬量子元件和自組低溫封閉磁阻量測系統的量子傳輸量測做為主要介紹。並期望加速台灣在新穎物理電子元件的研究與其應用開發。

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