當半導體晶片表面的元件和電路兩端加上電壓,使電流流通,則相當於電壓乘以電流的消耗功率會轉換成熱。而熱從晶片表面通過一般導熱不良的半導體基板和封裝的介面材料,於晶片表面產生高溫。將晶片表面發熱的微米級半導體薄片貼合在導熱係數比半導體高數倍至數十倍的鑽石散熱片,或直接將鑽石薄膜沈積在半導體,將可以提昇垂直及橫向散熱能力,大幅降低發熱元件和電路的溫度,提高其功能、壽命、和最大且可靠的運作功率。
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