化合物半導體產業動向及應用趨勢

林政賢

《光連：光電產業與技術情報》 148期 (2020/04) Pp. 23-25

摘要

目前化合物半導體以下四種材料為主，砷化鎵（GaAs）、碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）、銦磷化物（InP）與藍寶石（Sapphire）。其中主要應用於LED等光電半導體的砷化鎵（GaAs），因近期中美貿易摩擦受到影響，需求有些許下滑，另一方面應用於5G的電子裝置用途需求可能會轉為活絡。

關鍵字

化合物半導體 ； 砷化鎵 ； 碳化矽（SiC） ； 氮化鎵（GaN） ； 銦磷化物（InP） ； 藍寶石（Sapphire）

並列摘要

At present, compound semiconductors are mainly composed of the following four materials: gallium arsenide (GaAs), silicon carbide (SiC), gallium nitride (GaN), indium phosphide (InP) and sapphire (Sapphire). Among them, gallium arsenide (GaAs), which is mainly used in LEDs and other optoelectronic semiconductors, has suffered a slight decline in demand due to the recent trade friction between China and the United States. On the other hand, the demand for GaAs could take off due to electronic devices used in 5G.