摘要
在半導體IC製程技術，為使得Contact（接觸窗）之阻值降低，除了用傳統的於沈積時使用PH3 Dopant（即所謂Polycide製程）之外；另外是使用Metal與Si形成化合物（即所謂Silicide製程），而這些Metal常見的有Ti（鈦）、W（鎢）、Ta（鉭）等。而在0.18um製程以下更有用Co（鈷）等高污染金屬。這些金屬於形成Silicide後，必須將剩餘反應不完全之金屬去除，而大部分的製程是使用化學站（Wet bench）利用化學品將剩餘之金屬反應形成化合物並清洗去除之。而在最後之純水清洗，則扮演了晶片上於反應後是否有殘留物的關鍵步驟。