1.55 µm附近InGaAlAs/InP多重量子井雷射二極體的設計與研製

Design and Fabrication of 1.55-μm InGaAlAs/InP Mutiple Quantum Well Laser Diodes

蕭家林(Chia-Lin Xiao)

指導教授 ： 余合興

國立臺北科技大學/機電學院/電機工程系所/碩士(2006年)

https://doi.org/10.6841/NTUT.2006.00223

摘要

本研究共分為兩大部分，第一部分是量子井雷射二極體的研製，第二部份是取樣式光柵DBR雷射二極體的設計與分析，研究重點分段敘述如下。
首先，本研究採用InGaAlAs/InP材料系統研製多重量子井的薄片式雷射二極體。在雷射晶片磨薄的製程中，提出了新的研磨方法來取代過去常用的手工「8」字型研磨法；使用此種的研磨方法，可以讓雷射晶片成功的從350 μm磨至120 μm厚，其晶圓平均厚度頗為均勻一致，晶片研磨成功的機率高達90 %以上；對於研製完成的雷射，使用本研究室的量測設備，測量雷射的V-I、C-V與L-I特性曲線，並與分析討論。
其次，本研究使用溫度特性特佳的InGaAlAs/InP多重量子井結構，在光耦合強度 與0.5 nm的腔模模距的條件下經適當的調諧機制，成功設計出具有172通道與旁模抑制比高達38 dB以上的取樣式光柵DBR雷射。此雷射在100 mA注入電流與30 GHz頻寬下工作時，其通道切換時間在1奈秒以內。此外，由相對強度雜訊與眼圖的模擬中，亦可知雷射具有極佳的動態特性。

關鍵字

InGaAlAs/InP ； 量子井雷射 ； 晶圓研磨 ； 取樣式光柵DBR雷射 ； 不連續調諧 ； 近似連續調諧

並列摘要

無資料

並列關鍵字

InGaAlAs/InP ； Quantum-Well Lasers ； Strained Quantum Well ； Sampled- Grating DBR Lasers ； Quasi-Continuous Tuning

參考文獻

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