- 學位論文
陣列成長矽與矽化鈦異質接面之ㄧ維奈米結構製備與量測
Synthesis and Characterization of Pattern Growth Si, and Si/TiSi2 Heterostructure Junction Nanowire
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摘要
藉由在1000 ℃和1 atm 條件下，可利用金屬薄膜、矽基板以及 金奈米顆粒，在1000 ℃和1 atm 條件下合成出矽奈米線。可調控之 矽奈米線直徑或是成長方向可經由不同大小尺寸的金奈米顆粒做為 催化劑和使用不同晶向的矽基板。剛產出的奈米材料的晶體結構、微 結構、化學成分、光學的性質，可分別透過X 光繞射儀、穿透式電子 顯微鏡、掃描穿透式電子顯微鏡、臨場穿透式電子顯微鏡去分析。另 外也會將可控制成長方向和半徑的矽奈米線當成模板，利用四氯化鈦 當成鈦的來源合成出矽與矽化鈦異質接面的奈米線。 實驗結果發現，利用臨場穿透式電子顯微鏡觀測矽與矽化鈦異質 接面的奈米線，在提供外加鈦來源的情形下，鈦與矽與矽化鈦異質接 面的奈米線反應的結果與薄膜反應不同。此種二階段合成的矽與矽化 鈦異質接面的奈米線，提供了一個製造功能性奈米元件，極具潛力與 發展的合成方法。
參考文獻
Chapter 1
[1.1] S. Iijima, “Helical Microtubules of Graphitic Carbon,” Nature,
Laser,” Adv. Mater., 15, (2003), pp 1911–1914.
Chen, “TaSi2 Nanowires: A Potential Field Emitter and
Yang, “Single-crystal Gallium Nitride Nanotubes,” Nature, 422,