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  • 學位論文

高頻之矽基板氮化鋁鎵/氮化鎵鰭狀閘極高電子遷移率電晶體設計與製作

Design and Fabrication of AlGaN/GaN Fin-gate HEMTs on Silicon Substrates for High Frequency Applications

指導教授 : 徐碩鴻
本文將於2025/08/30開放下載。若您希望在開放下載時收到通知,可將文章加入收藏

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High Frequency GaN Silicon Substrates Fin-gate HEMTs

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