摘要
隨著半導體製程技術演進，由以往0.18微米至現今90奈米線寬，晶圓表面之污染物控制更為嚴苛，于晶圓清洗後要求于表面快速形成氧化層，目前以高濃度臭氧水溼式製程，達到產能大及氧化層厚度快速形成為主流；但半導體廠以往著重探討相關製程化學品及特殊化學氣體危害，對于臭氧水可能造成設備排放管路劣化，及臭氧產生器潛在危害較少注意到，隨著臭氧使用年限增加，排放水管路裂化所造成臭氧泄露問題，及對作業環境所造成的安全風險危害，半導體安全衛生人員與廠務人員應及早因應。
隨著半導體製程技術演進，由以往0.18微米至現今90奈米線寬，晶圓表面之污染物控制更為嚴苛，于晶圓清洗後要求于表面快速形成氧化層，目前以高濃度臭氧水溼式製程，達到產能大及氧化層厚度快速形成為主流；但半導體廠以往著重探討相關製程化學品及特殊化學氣體危害，對于臭氧水可能造成設備排放管路劣化，及臭氧產生器潛在危害較少注意到，隨著臭氧使用年限增加，排放水管路裂化所造成臭氧泄露問題，及對作業環境所造成的安全風險危害，半導體安全衛生人員與廠務人員應及早因應。