本研究利用自行設計及製作的一套獨創性模組同步電混凝/電過瀘處理半導體業晶圓廠之二種化學機械研磨(CMP)廢水並評估瀘液品質。Oxide CMP廢水(水樣A)含有總固體量約4918 mg/L、濁度約292 NTU且平均粒徑約184.9nm,而Oxide CMP與Metal CMP之混合廢水(水樣B)含有總固體量約1579mg/L、濁度約125NTU且平均粒徑約252.1nm,若直接排放將對環境造成危害。故本研究利用同步電混凝/電過瀘處理模組加以處理,研究結果顯示,在最佳的操作條件(電場強度87.5V/cm及過瀘壓差2.5 kgf/平方公分)下,濁度可降至1NTU以下。在臨界電場操作下,廢水進流速度對本處理模組之瀘速影響不大。另外,經由處理模組處理後之瀘液可適用於循環冷卻補充水的使用,亦可符合超純水系統進料水之水質需求。