摘要
本文主要介紹目前奈米碳管較成熟之製程技術，可概括分為氣相中成長與基板上成長兩大類。而氣相中成長之製程又可分為電弧放電法、雷射蒸發法與化學氣相沈積法，其優點在於可批量成長多層及單層奈米碳管，缺點則需進一步純化以利其應用，可作為複合材料的強化材或燃料電池電極之應用。另一方面，在基板上成長奈米碳管的製程技術較多元化，可搭配半導體製程技術，成長各種不同性質的碳管，相信在不久的將來可以有效取代現今之場效電晶體甚至各種不同的感測器元件，成為新世代的奈米碳管電子元件。
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延伸閱讀
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