利用磁控濺鍍系統沉積氧化銦鋅(IZO)金屬擴散阻礙層薄膜,探討透明導電膜擴散阻礙層應用於積體電路銅金屬化製程之性質,本實驗以非晶質結構之氧化銦鋅200nm,採用不同成分含量之氧化鋅(10wt.%及5wt.%)之擴散阻礙層,藉由小型高溫爐管施以300-900℃的溫度退火,利用4點探針(FPP)量測不同熱處理溫度下電阻率變化,以X光繞射分析(XRD)、穿透式電子顯微鏡(TEM)分析薄膜結構與相變化,以掃描式電子顯微鏡(SEM)觀察薄膜表面型態,藉以探討不同成分之氧化銦鋅阻礙層之熱穩定性及電性。
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