摘要
GaN-basedLED(Light Emitting Diode)雖然己進入量產，但成本居高不下仍是產學界關切重點。目前量產LED所選用之基板主要以單晶Al2O3(Sapphire)或SiC基板為主，但目前單晶Sapphire基板僅為2吋，其成本高且單一基板生產之LED晶粒較少，成為LED量產成本居高不下原因之一。因此為降低成本，GaN-based LED之基板工程(Substrate Engineering)已成為產學界研究重點課題之一。 近幾年在Si晶片上製備GaN-based LED受到廣泛重視，其源自Si晶片已廣泛使用於半導體積體電路(Integrated Circuit)製程，成本遠低於現行GaN-based所需Sapphire或SiC基板，且Si晶片尺寸可大至6~12吋，有助於量產LED時大符降低成本。雖然如此，以Si晶片為基板製備GaN-based LED有其重大技術有待克服。因此研發製作基板工程以降低GaN磊晶層成長之應力，降低InGaN/GaN MQW(Multiple Quantum Wells)之差排密度，改善InGaN/GaN MQW薄膜成長因熱膨脹係數(Thermal Expension Coefficient)差異過大而產生薄膜破裂(Crack)之情形已變成研發重點，本報告將對GaN-based LED製作於Si基板之發展作一回顧與展望。
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無資料延伸閱讀
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