利用單一步驟金屬有機化學沉積方式透過氣縫方式製備氮化鎵基底之發光二極體

GaN-Based LEDs with Air Voids Prepared by One-Step MOCVD Growth

林男明(N. M. Lin) ； 張守進(S. J. Chang) ； 許世昌(S. C. Shei) ； 賴韋志(W. C. Lai)

《真空科技》 24卷3期 (2011/09) Pp. 42-49

https://doi.org/10.29808/JVSROC.201109.0007

摘要

在本論文當中，利用雷射繕寫和橫向蝕刻的方式，在氮化鎵以及圖形化的藍寶石基板之間製備出氣縫的結構。經過了五分鐘與二十分鐘後的橫向蝕刻，會有金字塔型的氣縫形成，蝕刻後此特殊結構之氣縫的尺寸分別為零點九八和一點九微米的高度。我們利用二十分鐘的橫向蝕刻參數製作出特殊的發光二極體結構來增強了輸出功率十一點五％。此外我們進而利用模擬軟體來確認實驗結果，而模擬的結論與實驗數據相符合。

關鍵字

氮化鎵 ； 發光二極體 ； 雷射繕寫 ； 橫向蝕刻 ； 氣縫

並列摘要

The authors report the formation of air voids at GaN/corn-shape pattern sapphire substrate (CSPSS) interface by laser scribing and lateral etching with one-step growth. With 5 and 20 min lateral etching, it was found that pyramid-like air voids were formed with an average height of 0.98 and 1.9μm, respectively, on top of each cone of the substrate. It was also found that we can enhance LED output power by 11.5% by etching the wafers for 20min. It was also found that the simulated results agree well with the experimentally observed data.

並列關鍵字

GaN ； LEDs ； Laser Scribing ； Lateral Etching ； Air Voids