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單腔雙製程原子層沉積設備製備之透明導電膜研究
Research on transparent conductive film prepared by dual-process atomic layer deposition equipment with single-chamber
摘要
本文介紹一電漿增強式原子層沉積設備（plasma-enhanced atomic layer deposition，PEALD），具有雙前驅物供料模組，可完成雙重異質薄膜製程。雙前驅物製程共用氣體擴散板產生電漿反應，並分別以三甲基鎵（Ga(CH_3)_3，TMGA）／三甲基銦（In(CH_3)_3，TMI）二種前驅物特氣管件與快速氣動閥搭配控制系統，以快速閥做脈衝式PEALD製程氣體切換，藉以實現PEALD雙製程共腔之技術建置。以氧化銦（Indium oxide，InOx）及氧化鎵（Gallium oxide，GaOx）為雙前驅物之製程反應物，藉由退火製程實現IGO薄膜，可進行異質薄膜堆疊之元件開發，藉以應用於矽堆疊型型電池及電晶體等元件。
延伸閱讀
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