創新式繞射共焦表面輪廓量測儀

隨著半導體產業的持續發展，封裝技術已然進入3D－SIC時代，在 3D－SIC封裝內部連接各晶片的微凸塊（micro bumps，如圖1所示）成為封裝良率至關重要的一環，微凸塊的直徑大小、間距、位置偏差、高度差異與整體共面程度等參數，均將決定封裝成品的表現與成敗。然而微凸塊直徑約在25 mm上下，間距約40 mm，高度5－10 mm，密佈整片晶圓，如此細小、高解析、大面積、且必須線上快速檢測的量測需求，傳統的光學檢測系統已無法勝任，必需發展新穎的量測技術與設備才有可能達成。本研究針對這樣的需求開發一基於繞射圖譜比對的創新三維形貌量測技術，並佐以緊湊的光機電整合設計，於超精密零阿貝晶圓量測平台上實現大範圍高速量測雛型。本研究之成果不只具有產業應用價值，在戰略上更有助於降低台灣半導體產業對國外進口設備之倚賴，掌握關鍵技術於國內，對整體產業之國際競爭力有莫大助益。