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期刊
III族氮化物磊晶成長於矽基板製程技術簡介
陳維鈞
《儀科中心簡訊》
136期
(2016/08)
Pp. 14-17
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延伸閱讀
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以電漿輔助式分子束磊晶法於矽基板成長氮化鎵
[master's thesis, National Tsing Hua University]. Airiti Library. https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=U0016-1603201711074939
陳維鈞、田志盛、吳岳翰、郭守義、賴芳儀、蕭健男、張立(2014)。
化學束磊晶系統成長氮化銦磊晶薄膜之製程研究
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科儀新知
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(198),20-37。https://www.airitilibrary.com/Article/Detail?DocID=10195440-201403-201403270011-201403270011-20-37
張展溢(2011)。
在矽基板上之氮化鎵高電子遷移率場效電晶體之基板模型建立與分析
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辜瑞泰 (2011).
在矽基板上成長三族氮化物之磊晶及物性研究
[doctoral dissertation, National Chiao Tung University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6842/NCTU.2011.01106
陳聖(2019)。
使用射頻電漿輔助化學束磊晶成長氮化銦磊晶材料於表面氮化處理矽(111)基板之研究
〔碩士論文,國立臺灣師範大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6345/NTNU201901048
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