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MOS元件之低頻與高頻雜訊探討

徐碩鴻
《國家奈米元件實驗室奈米通訊》 14卷4期 (2007/12) Pp. 52-56
https://doi.org/10.29913/NDLC.200712.0011
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關鍵字

金氧半 ； 低頻雜訊 ； 高頻雜訊 ； 元件模型

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MOS ； Low-Frequency Noise ； High-Frequency Noise ； Device Model

被引用紀錄

黃淑美（2009）。低溫多晶矽薄膜電晶體直流模型與小訊號模型〔碩士論文，國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2009.10155

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