摘要
奈米轉印微影技術主要包含兩個步驟：壓印(Imprinting)和圖案轉移(Pattern Transfer)兩步驟。在壓印過程中，將一個表面具有奈米結構圖案的模子壓印在一個高分子阻劑上，在圖形轉移過程中，利用非等向性蝕刻去除在受擠壓區之殘餘高分子阻劑，此步驟目的是轉移具高度差之圖案到整層阻劑，以增加阻劑的深寬比。奈米轉印微影技術中的母模，其線寬大小是轉印後阻劑線寬的一倍(1X)；相對於目前主流的光學微影術，光罩線寬是曝光後阻劑線寬的四倍(4X)或五倍(5X)來說，奈米轉印的母模製作難度相對提高很多。團聯式共聚高分子具有自組裝的特性，可藉由控制聚合鏈段之長短與成膜條件來改變不同的自組裝形態。以高分子團狀共聚物作為奈米轉印微影之阻劑，可在轉印的圖形中形成更小尺寸的有序排列，並可藉由物理的方法（將高分子團狀共聚物侷限於不同線寬）得到不同自組裝形態。結合奈米轉印（由上到下；Top-Down）與高分子團狀共聚物自組裝現象（由下到上；Bottom-Up）可開發－新技術，可以在微細線路上製造出比母模圖形更小的微結構，為奈米轉印技術的應用開啟更多的方向。
延伸閱讀
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