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摘要


過去45年來(從1967到2012),「浮閘非揮發性半導體記憶體」( Floating-gate Non-volatile Semiconductor Memory),簡稱「浮閘記憶體」已從一個「浮閘」概念擴展成為全球最大工業—「電子工業」之主要技術推動力。本文將回顧浮閘記憶體過去之發展,並預測其未來10年之趨勢。此外,我們將討論此記憶體在數位行動電話、平板電腦、數位電視等廣泛的應用。由於此記憶體之線寬將縮小到10奈米左右我們預期會有許多創新之設計來解決線寬微縮之挑戰,而浮閘記憶體之相關科技將繼續增進並改善人類未來之生活。

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被引用紀錄


趙士鈞(2014)。原子層沉積技術成長二氧化鈦薄膜之應力分析及應用〔碩士論文,國立臺灣大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6342/NTU.2014.01273

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