摘要
採用原位聚合法製備了一系列比例不同的聚3-辛基噻吩／二氧化鈦納米複合材料。經X射線光電子能譜(XPS)測試表明了複合物中S的高價態的成分增加，說明Ti-S的存在；紅外光譜(IR)測試發現在640cm^(-1)附近生成了新的Ti-S鍵；X射線衍射法(XRD)測試表明複合物的晶面距小於單組分的二氧化鈦，說明Ti-S的生成，證明了新型聚3-辛基噻吩／二氧化鈦納米複合材料被合成了。經電化學迴圈伏安測試(CV)表明當POT: TiO2=1: 1時，聚3-辛基基噻吩／二氧化鈦納米複合薄膜的能隙最小僅爲0.43eV，既不同於二氧化鈦的3.14eV，也不同於聚3-辛基噻吩的2.07eV；紫外(UV)和螢光(FL)光學測試結果表明：光電性能遠遠優於單獨的聚3-辛基噻吩和二氧化鈦。
延伸閱讀
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