透過您的圖書館登入
IP:18.119.118.210
登入
登出
透過您的圖書館登入
透過您的圖書館登入
登入
登出
出版品瀏覽
幫助
授權華藝
IP:18.119.118.210
繁體中文
English
简体中文
精確檢索 : 冠狀病毒
模糊檢索 : 冠狀病毒
冠狀病毒感染
冠狀病毒疾病
查詢出版品: 冠狀病毒
進階查詢
查詢歷史
主題瀏覽
【下載完整報告】AI熱潮從學術研究也能看出端倪?哪些議題是2023熱搜議題?
期刊
AlN/GaN-Based MOS-HEMT Technology: Processing and Device Results
S. Taking
;
D. MacFarlane
;
E. Wasige
《Active and Passive Electronic Components》
2011卷
(2011/12)
Pp. 111-117
https://doi.org/10.1155/2011/821305
引用
分享
收藏
全文下載
延伸閱讀
劉政志(2012)。
The Fabrication and Analysis of High Frequency AlGaN/GaN HEMT and AlInN/GaN HEMT
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2012.00686
Qasrawi, A. F., Kmail, S. M., Assaf, S. F., & Saleh, Z. M. (2013).
Design and Investigation of SST/nc-Si:H/M (M = Ag, Au, Ni) and M/nc-Si:H/M Multifunctional Devices
.
Advances in OptoElectronics
,
2013
(), 55-61. https://doi.org/10.1155/2013/807542
王惠弘(2012)。
The Characteristics of AlGaN/GaN MIS-HEMT with PECVD-SiN as Gate Dielectric
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2012.00687
陳冠宇(2010)。
The Fabrication and Analysis of High Frequency and High Power Density AlGaN/GaN HEMT
〔碩士論文,國立清華大學〕。華藝線上圖書館。https://doi.org/10.6843/NTHU.2010.00518
YAO, X. C. (2018).
Investigations on InAlN/AlN/GaN MOS-HEMT with a Field-Plate Design
[master's thesis, Feng Chia University]. Airiti Library. https://doi.org/10.6341/fcu.M0506887
國際替代計量
AlN/GaN-Based MOS-HEMT Technology: Processing and Device Results
篇名與作者
延伸閱讀
國際替代計量
全文下載
本網站使用Cookies
為了持續優化網站功能與使用者體驗,本網站將Cookies分析技術用於網站營運、分析和個人化服務之目的。
若您繼續瀏覽本網站,即表示您同意本網站使用Cookies。
我知道了
隱私權聲明