利用低能量密度準分子雷射熱退火改善金奈米晶粒非 揮發性記憶體

Apply Low Energy Density Excimer Laser Annealing to Improve Gold Nanoparticle Nonvolatile Memory

吳俞潁(Yu-Ying Wu)

指導教授 ： 管傑雄

國立臺灣大學/電機資訊學院/電子工程學研究所/碩士(2011年)

https://doi.org/10.6342/NTU.2011.10299

摘要

本研究論文中，我製作金氧半(MOS)結構含有化學還原法製成之金奈米晶粒的記憶體元件，目的是為了儲存電荷。金奈米晶粒的密度及均勻度是藉由掃描式電子顯微鏡觀察，因為使用不同介面活性劑在沈積金奈米晶粒會有均勻度上的不同，而均勻度會造成不同的差異在高頻電容電壓曲線上，因為均勻度是聚積出現的關鍵。大家都知道使用電漿輔助化學氣相沈積成長控制氧化層的品質較差，所以我想利用KrF準分子雷射熱退火提升氧化層的品質。透過此種方式，KrF準分子雷射可以改善金奈米晶粒非揮發性記憶體在電性上的表現。接著我使用不同能量密度及不同發數，並且發現在特定雷射條件，即低能量密度且多發數可以擁有較佳的元件電性。另外根據電荷流失百分比，討論儲存電荷在不同KrF準分子雷射參數下在金奈米晶粒及氧化層缺陷的relaxation time及儲存比例。最後探討經過KrF準分子雷射熱退火後的二氧化矽膜會因為化學鍵結變化造成光學特性上的不同。

關鍵字

高頻電容電壓曲線 ； 聚積 ； 介面活性劑 ； KrF準分子雷射 ； 金奈米晶粒

並列摘要

無資料

並列關鍵字

high frequency capacitance voltage curve ； accumulation ； surfactant ； KrF excimer laser ； gold nanoparticle

參考文獻

[1] Min Seung LEE, “Characteristics of Nano-Floating-Gate Memory with Au

[2] Zengtao Liu, “Metal Nanocrystal Memories—Part I: Device Design and

Fabrication,” IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 49,

[4] QinWang1, Rui Jia1, “Comparison of discrete-storage nonvolatile memories:

advantage of hybrid method for fabrication of Au nanocrystal nonvolatile